В роботі розроблено технологічні засади отримання сцинтиляційних кристалів селеніду цинку з поліпшеними параметрами швидкодії та однорідності люмінесцентного сигналу для сучасних детектуючих систем ретгенівських томографів та низькофонових сцинтиляційних болометрів для кріогенних спектрометрів. Встановлено, що домішка алюмінію сприяє утворенню вакансій цинку з формуванням мілких акцепторних рівнів близ валентної зони кристалів ZnSe. При концентрації Al в межах 0,001-0,005 % ат. в кристалах ZnSe(Al) можуть бути досягнуті параметри неоднорідності сцинтиляційного сигналу не більше, ніж 3% при рівні післясвітіння 0,005 % через 3 мс після дії рентгенівського імпульсу.Запропоновано конструкцію 2-х зонної ростової печі з можливістю відпалу вирощених кристалів в низькоградієнтній зоні, та новий метод вирощування кристалів ZnSe з використанням спливаючого в розплаві ZnSe графітового диску. Розроблено та реалізовано технологічну схему виготовлення болометричних сцинтиляторів на основі кристалів Zn82Se, що успішно пройшли тестування в лабораторії Гран Сассо (Італія).Ключові слова: сцинтилятор, селенід цинку, детектор для комп'ютерної томографії, кристали селеніду цинку збагачені 82Se, низькофонові сцинтиляційні болометри.

Постачальник даних: УкрІНТЕІ (Український Інститут науково-технічної експертизи та Інформації)

  Завантажити автореферат