![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Пошуковий запит: (<.>ID=20081124005522<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
| Баран М.М. Вплив електрон-деформаційної взаємодії на електронні стани та перерозподіл електронної густини в широкозонних напівпровідниках з дислокаціями : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / М.М. Баран ; Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 2005. — 20 с.: рис. — укp.Розкрито механізм впливу ступеня заповнення зони провідності на електрон-деформаційний потенціал зарядженої крайової дислокації та на енергію дна зони провідності в околі дислокації. Розраховано ізолінії концентрації електронів навколо крайової дислокації та поверхні електронної густини вздовж стінки дислокацій невідповідності за різних ступенів заповнення зони провідності. Для різного ступеня заповнення зазначеної зони одержано аналітичний вираз енергетичного спектра електрона, локалізованого на крайовій дислокації, та розв'язки рівняння для визначення закону дисперсії носіїв дислокаційної зони. Показано, що у напівпровідниках у крайовій незарядженій дислокації відбувається діодний ефект, спричинений локальним просторовим перерозподілом електронів. Завантажити
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 в641,022 + Шифр НБУВ: РА338329
Рубрики:
|
|
|