![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Пошуковий запит: (<.>ID=20081124011375<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
| Купчак І.М. Електронні характеристики квантово-розмірних структур у діелектричному середовищі : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / І.М. Купчак ; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова. — К., 2006. — 20 с. — укp.Наведено результати розрахунків екситонного спектра в нуль-, одно- та двомірних квантово-розмірних структурах типу напівпровідник-діелектрик. У наближенні ефективних мас і квадратичних законів дисперсії розраховано енергії зв'язку екситонів й основного випромінювального екситонного переходу та характеристичні часи псевдопрямої випромінювальної екситонної рекомбінації в таких структурах. Розрахунки проведено з урахуванням скінченності висоти оточуючого потенціального бар'єру для носіїв заряду та проникнення силових ліній електричного поля кулонівської взаємодії між зарядами в діелектричне середовище. Показано, що поляризація гетеромережі та прилеглої області може призвести до значного збільшення внеску кулонівської енергії взаємодії у повну енергію екситонного переходу у квантово-розмірних структурах. Проведено порівняння теорії з експериментом. Показано, що основним фактором уширення спектральних смуг фотолюмінесценції в кремнієвих наноструктурах розмірами менше 4 нм є ефект квантово-мезоскопічних флуктуацій, якщо наявність навіть одного обірваного зв'язку на інтерфейсі, одного дефекту в нанокристалі або в його близькому оточенні сильно впливає на енергію екситонного переходу. Завантажити
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4,022 + Шифр НБУВ: РА345638
Рубрики:
|
|
|