Вперше на основі аналізу форми концентраційних профілів, одержаних в результаті проникнення атомів радіоактивного покриття в об'єм матеріалу в процесі імпульсного навантаження, показано, що зниження температури, збільшення густини дислокацій у вихідному стані та збільшення інтенсивності механічної обробки призводять до підвищення ролі спрямованого переносу атомів у порівнянні з механізмом випадкових блукань. У результаті молекулярно-динамічного моделювання кристалів з ГЦК і ОЦК гратами встановлено, що наявність власного міжвузельного атома спричинює утворення області спотворення кристала - кластера, що містить до 18-ти атомів. Це призводить до зменшення енергії активації самодифузії та визначає низькі значення передекспоненційного множника. У зародженні центрів деформації нанокристалів металів за умов одновісного, всебічного стиску та розтягу істотну роль грають флуктуації напружень, у разі чого перевищення локального напруження над середнім може досягати 1,5 рази. Енергія імпульсного впливу, що вводиться в метал, розподіляється в кристалі нерівномірно, що сприяє утворенню міжвузельних атомів по недислокаційному механізму.

  Завантажити