З'ясовано механізми переносу заряду в діодах Шотткі на основі CdTe та SiC, роль надбар'єрного проходження носіїв, генерації-рекомбінації, тунелювання та лавинних процесів у формуванні їх електричних характеристик. Експериментально досліджено та теоретично описано фотоелектричні характеристики Au - SiC діодів, базуючись на знайдених параметрах часу життя носіїв, їх дифузійної довжини, висоти потенціального бар'єра, концентрації нескомпенсованих домішок. Визначено особливості фотоелектричних характеристик SiC діодів Шотткі (в області енергії фотонів, менших ширини забороненої зони напівпровідника) поясненої з залученням моделі фотостимулювального тунелювання електронів крізь потенціальний бар'єр з урахуванням ефекту Шотткі. Виявлено новий тип люмінесцентного випромінювання SiC діодів Шотткі. На підставі експериментальних даних та розрахункових результатів обгрунтовано модель внутрішньозонних переходів гарячих електронів у металі, що адекватно описує спостережені характеристики випромінювання.

  Завантажити