Дисертацію присвячено розв'язанню актуальної наукової задачі - розробці комплексниїх моделей елементної бази мікроелектроної апаратури і методики ідентифікації їх параметрів для розширення математичного та інформаційного забеспечення САПР. У роботі захищається оригінальна методика створення комплексних фізико-топологічних моделей елементів, яка може бути застосована в практиці інженерного проектування при побудові моделей напівпровідникових приладів та інтегральних мікросхем. Розробка та практичне впровадження в підсистему МАЕС-П комплексних моделей напівпровідникового діолу, біполярного та МДН-транзисторів, операційного підсилювача, а також програмно-методичного комплексу ідентифікації параметрів моделей дозволило підвищити ефективність цього програмного забеспечення і точність моделювання електричних та теплових процесів, які спільно відбуваються в апаратурі. Результати роботи впроваджено в промисловості і в начальному процесі.

  Завантажити