Показано, що введення вуглецю в процесі іонної імплантації більш ефективно впливає на рівень механічних напружень в епітаксійних структурах Si - Ge, ніж легування під час плазмохімічного осадження. За допомогою методу високороздільної двокристальної рентгенівської дифрактометрії вперше виявлено аморфізований шар на межі поділу епітаксійної плівки Si - Ge (отриманої внаслідок плазмохімічного осадження) - підкладка Si. Досліджено вплив температури підкладки на структуру плівок Cd - Hg - Se, виготовлених методом лазерного розпилення. На базі даних про температурну залежність коефіцієнта Хола запропоновано модель, яка пояснює структурні зміни в плівках.

  Завантажити