Дисертація присвячена дослідженню параметрів глибоких рівнів в напівпровідниках в тих випадках, коли традиційний підхід з використанням методики релаксаційної спектроскопії не дозволяє отримати відповідні параметри. Розглянуто підходи до визначення параметрів глибоких рівнів у напівпровідниках та приладах на їх основі. Розроблено та створено автоматизований релаксаційний спектрометр глибоких рівнів, орієнтований на дослідження сучасних напівпровідникових приладів з малими величинами релаксуючої ємності. Модифіковано загальний вигляд кореляційної функції двохканального стробованого накопичувача, що дозволило підвищити якість та достовірність визначення основних параметрів глибоких рівнів. Створено програмне забезпечення, що дозволяє в повній мірі реалізувати вимірювальні можливості автоматизованого спектрометра та провести, відповідним чином, обробку результатів експерименту. Створено методики отримання параметрів глибоких рівнів у випадку релаксації ємності від глибоких рівнів з близькими часовими сталими (випадок складного РСГР-спектру) та їх квазінеперервного енергетичного розподілу. За допомогою розробленого апаратно-програмного комлексу досліджено низку напівпровідникових приладів.

  Завантажити