Наведено результати комплексних досліжень закономірностей та особливостей зміни структурних, електрофізичних, термо-, магніто- і тензорезистивних властивостей сильно легованих значно компенсованих гетероепітаксійних плівок Ge. Визначено специфіку перебудови їх енергетичної структури під впливом межі розподілу Ge - GaAs і внутрішніх механічних напружень за умов дії температури, деформації та магнітного поля. Встановлено взаємозв'язок електрофізичних і теплофізичних властивостей з конструктивно-технологічними параметрами і термометричними характеристиками сильно легованих p - n-структур Si з урахуванням зміни домінуючих механізмів струмопереносу під впливом температури, електричного поля та радіації. Фізично обгрунтовано, реалізовано та застосовано за натурних умов експлуатації нові типи мікроелектронних приладів для екстремальної електроніки.

  Завантажити