Досліджено високотемпературні та термостабільні сплави евтектичного типу, отримані шляхом спрямованого твердіння (електронно-променева плавка у вакуумі) за умов забезпечення високих статичних градієнтів на межі розподілу рідина - тверде тіло. Показано, що специфічні умови дифузійного поділу компонентів такого процесу впливають на морфологію та дисперсність створюваних матеріалів. Виявлено умови структуроутворення в процесі стаціонарного росту квазібінарних тугоплавких евтектик на основі Mo, Nb, Ta з високою об'ємною часткою (20%-46 %) карбідної фази з метою створення квазімонокристалічного злитку. Визначено критичні концентрації домішок втілення, що призводять до порушення плоского фронту кристалізації залежно від градієнта температур у розплаві. Показано, що максимальну схильність до спрямованого композиційного росту мають системи на основі танталу та ніобію, мінімальну - молібдену. З'ясовано механізм зняття пересичення матриці вуглецем, умови та ступінь її очищення. Визначено параметри дифузії, щільність дислокацій композитів, їх взаємозв'язок з жароміцністю. З Відзначено, що завдяки застосуванню розробленого способу спрямованої кристалізації шлікерного покриття NiCrSiB квазіевтектичного складу в 3-9 разів підвищується зносостійкість виробів у вузлах тертя машинного устаткування.

  Завантажити