Досліджено механізми динамічного розсіяння X-променів у випадку аномального проходження на окремих структурних дефектів1180 (дислокаціях, дислокаційних петлях і бар'єрах) у кремнії. Залежно від просторового розміщення дислокаційних петель і бар'єрів з урахуванням анізотропії та релаксаційних процесів на поверхні кристалу побудовано їх дифракційні зображення для випадку аномального проходження X-променів. Установлено механізми формування багатопелюсткових борманівських зображень дислокаційних петель та проведено їх зіставлення з експериментальними. Створено атлас найбільш характерних X-променевих зображень дефектів. Знайдено концентрації та визначено основні напрямки дифузії атомів Ga та In у вирощених КЯ за наявності буферних шарів та залежно від температури підкладки.

  Завантажити