Розроблено технологію виготовлення por - Si з характеристиками структури c - Si - por - Si, оптимальними для використання як польових емісійних катодів, також технологію виготовлення шарів por-Si без застосування зовнішнього джерела напруги, що дає змогу одержувати емісійні катоди з високою селективністю розмірів кремнієвих нанониток. Запропоновано фізичну модель даного ефекту, що співвідносить його з формуванням провідних наноканалів у діелектричній (напівпровідниковій) матриці, які є "внутрішніми" емісійними вістрями.

  Завантажити