Установлено фізичні закономірності утворення дефектів у приповерхневих шарах монокристалів GaAs під дією імпульсного лазерного опромінення з низьким рівнем інтенсивності. Досліджено вплив лазерного опромінення на активацію процесів дефектоутворення у кристалі за гауссового або дифракційно-модульованого розподілу інтенсивності. З використанням числових методів визначено розподіл інтенсивності лазерного опомінення, полів температур, деформацій і термонапружень у приповерхневих шарах опромінених монокристалів GaAs. Проведено експерименти з використанням лазерних імпульсів мілісекундної тривалості з гауссовим розподілом інтенсивності та встановлено порогові значення густини енергії, за яких активуються різні механізми модифікації поверхні: плавлення, дислокаційної пластичності, утворення точкових дефектів. Опромінено монокристали GaAs лазерними імпульсами мілі- та наносекундної тривалості з густиною енергії, меншою від порогу пластичності та з дифракційно-модульованою інтенсивністю. За методами оптичної, електронної та атомно-силової мікроскопії доведено можливість створення періодичних дефектних структур у вигляді атомних кластерів за допомогою дифракційно-модульованого імпульсного лазерного опромінення низького рівня. Позиціювання таких структур задається законом просторової модуляції інтенсивності лазерного опромінення та таким чином розв'язується задача їх адресного та періодичного розподілу. Результати дослідження дають змогу розвинути новий підхід до створення напівпровідникових приладів, який грунтується на використанні особливих властивостей кластерних структур.

  Завантажити