Розроблено теоретичні основи та технологічні засади електрохімічного одержання тонких полікристалічних плівок напівпровідникових сполук CdS і CdTe. Досліджено нові напрямки електрохімічного синтезу тонких плівок CdS і CdTe з електролітів на основі неводневого органічного апротонного розчинника, зокрема, диметилсульфоксиду (ДМСО). Визначено оптимальні параметри електролізу та фотоелектричні показники одержаних плівок. Запропоновано новий метод електрохімічного одержання CdTe, який базується на пошаровому осадженні окремих компонентів (кадмію та телуру) сполуки з ДМСО розчинів, високу ефективність якого обгрунтовано теоретично та підтверджено практично. Відзначено, що синтезовані таким способом, плівки CdTe мають високий ступінь стехіометричності та фазової однорідності. Запропоновано та досліджено використання нестаціонарного (імпульсного) режиму електролізу, в результаті якого одержано рівномірні дрібнокристалічні гладкі покриття кадмію. (порошкоподібних, гладких і блискучих). Запропоновано принципову технологічну схему та визначено оптимальні технологічні режими процесу електрохімічного синтезу напівпровідникових полікристалічних плівок CdS, CdTe і системи CdS / CdTe.

  Завантажити