![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Пошуковий запит: (<.>ID=20091229001825<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
| Мурзін Д.Г. Розширення області безпечної роботи потужних напівпровідникових приладів з об'ємними ділильними шарами : автореф. дис... канд. техн. наук : 05.27.01 / Д.Г. Мурзін ; Нац. техн. ун-т України "Київ. політехн. ін-т". — К., 2009. — 21 с. — укp.Вивчено методи розширення області безпечної роботи потужних напівпровідникових приладів (ПНП) за рахунок покращання рівномірності розподілу напруженості електричного поля та щільності струму в структурі ПНП з об'ємним ділильним шаром (ОДШ) за умов збереження швидкодії та малих енергетичних втрат у стаціонарному та динамічному режимі. Наведено результати теоретичних і експериментальних досліджень щодо розширення області безпечної роботи (ОБР) потужних напівпровідникових приладів з метою реалізації оптимальної сукупності параметрів потужного напівпровідникового ключа. Наведений конструктивний елемент - об'ємний ділильний шар - дозволяє суттєво підвищити однорідність розподілу електричного поля в області просторового заряду, знизити вірогідність виникнення електричної форми вторинного пробою. Одержано залежність максимальної напруги від місцерозташування ОДШ у структурі p - n переходу. Встановлено зв'язок між максимальною динамічною напругою та параметрами структури в головному режимі роботи транзистора. Досліджено вплив локальних рекомбінаційних областей, зумовлених опромінюваннями alpha-частинками, на підвищення швидкодії високовольтних транзисторних структур з ОДШ. Наведено результати проведених експериментальних досліджень щодо можливості застосування техніки ОДШ для розширення ОБР ПНП. Завантажити
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3-01 + Шифр НБУВ: РА365122
Рубрики:
|
|
|