| Скрипник М.В. Властивості фоточутливих діодних структур на основі монокристалічного телуриду кадмію : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / М.В. Скрипник ; Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 2009. — 20 с. — укp.Виявлено низку особливостей оптичних властивостей поверхневих шарів відпалених на повітрі підкладинок n-CdTe, які адекватно пояснюються у межах теорії квантово-розмірних ефектів. Зазначено, що підставі використання монокристалічного телуриду кадмію з широким спектром зміни його параметрів для створення поверхнево-бар'єрних діодів (ПБД) і анізотипних гетеропереходів (ГП) у сукупності з варіацією умов досліду (напруга, температура, рівень та спектральний склад освітлення) виділено з великого числа механізмів формування темнових і світлових характеристик діодів необхідний та детально його досліджено. Встановлено, що модифікація поверхні підкладинок n-CdTe призводить до підвищення у 1,5 - 3 рази висоти потенціального бар'єра ПБД і адекватного збільшення напруги холостого ходу. Виявлено, що спекр фоточутливості охоплює діапазон 1,3 - 5,0 еВ, а його межі визначаються типом діодної структури. Завантажити
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.32 + З852.2-03 + Шифр НБУВ: РА367456
Рубрики:
|