Розглянуто симетричні й асиметричні гетероструктури на базі багатокомпонентних напівпровідникових твердих розчинів, до складу яких входять Ga, In, Al, As, Sb, P. Досліджено розподіл носіїв і потенційний профіль асиметричних гетероструктур. Визначено закономірності впливу потенційного профілю на швидкість процесів захвату та тунелювання, вироблено методологію модифікування активної області й області обмеження для інтенсифікації процесів квантового переносу. Запропоновано структури з модифікованою активною областю, що показали покращені параметри - рекордне або підвищене ККД і вихідну потужність, знижений пороговий струм. Із застосуванням інтерполяційних моделей першого-другого порядку та напіваналітичних моделей обчислено параметри багатокомпонентних напівпровідникових розчинів, знайдено пари матеріалів, що не мають розриву країв зон, досліджено особливості процесів переносу носіїв в даних структурах, запропоновано та розглянуто їх використання як струмопровідних дзеркал, що забезпечують водночас низькі електричні й оптичні втрати, та інжекторів квантово каскадних лазерів, що забезпечують швидкий перенос електронів, знижені втрати та підвищену стійкість до шумів у напрузі джерела накачування. Досліджено динамічні процеси лазерів з багатошаровою квантоворозмірною областю, розроблено метод швидкого розрахунку модуляційних характеристик.

  Завантажити