Досліджено процеси за умов сильної нерівноважності носіїв заряду у разі їх розігріву сильним електричним полем в об'ємних кристалах германію та гетероструктурах n-InGaAs/GaAs із квантовими ямами. Вивчено струмові нестійкості, які виникають за цього, а також утворення просторово-неоднорідних структур у вигляді струмових шнурів або високопольових доменів. Експериментально виявлено теоретично повздовжні термодифузійні автосолітони у вигляді струмових шнурів у кристалах Gе. Показано, що такі автосолітони утворюються у слабкорозігрітій плазмі з високою концентрацією носіїв. Виявлено, що в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs із квантовими ямами в латеральному електричному полі виникають статичні високопольові акустоелектричні домени. Визначено, що в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs з подвійними тунельно-зв'язаними квантовими ямами просторовий перенос електронів у гріючому електричному полі із широких квантових ям у вузькі ями призводить до різкого збільшення інтенсивності далекого інфрачервоного випромінювання електронів.

  Завантажити