 Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox" |
|
|
Пошуковий запит: (<.>K=GA<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 249
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
1.  |
MFI3537/1-2
Homan, Otto.
A GaAs/AlGaAs DBR laser diode with side-coupled Bragg gratings [Text] : diss. / O. Homan ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 1996. - 120 p.: fig. - (Diss. ETH ; 11932)
3 mfisheРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Swiss Federal institute of technology Zürich
Видання зберігається у :
| | 2. |
ІР6234
Shul'ga, Nikolaj Fedorovich.
About effect of the Ramsauer-Townsend type at scattering of relativistic electrons by crystal atomic string [Text] / N. F. Shul'ga, V. I. Truten'. - Kharkov : [б.в.], 1999. - 12 p.: fig. - (Prepr. / National science center. Kharkov inst. of physics and technology ; KIPT 99-4)Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Truten', Valentin Ivanovich; National science center. Kharkov inst. of physics and technology
Видання зберігається у :
| | 3. |
РА394964
Шамжи, Марія Володимирівна.
B-, Al-, Ga- та Fe-вмісні германосилікатні екстраширокопористі цеоліти типу UTL: синтез, структура та каталітичні властивості [Текст] : автореф. дис. ... канд. хім. наук : 02.00.04 / Шамжи Марія Володимирівна ; Нац. акад. наук України, Ін-т фіз. хімії ім. Л. В. Писаржевського. - К., 2012. - 19 с. : рис., табл.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут фізичної хімії імені Л. В. Писаржевського (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
| | 4. |
ДС136573
Шамжи, Марія Володимирівна.
B-, Al-, Ga- та Fe-вмісні германосилікатні екстраширокопористі цеоліти типу UTL: синтез, структура та каталітичні властивості [Текст] : дис. ... канд. хім. наук : 02.00.04 / Шамжи Марія Володимирівна ; НАН України, Ін-т фіз. хімії ім. Л. В. Писаржевського. - Київ, 2012. - 179 арк. : табл., рис. - Бібліогр.: арк. 153-173.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут фізичної хімії імені Л. В. Писаржевського (Київ)
Видання зберігається у :
| | 5. |
ІВ194884
Krummel, Christian.
Charakterisierung der Oberflächenreaktionen von CH4 und H2 auf Ga2O3 [Text] : Diss. / C. Krummel ; Justus-Liebig-Universität Gießen. Fachbereich Physik. - Gießen : [б.в.], 1998. - 143 S.: Abb. - Бібліогр.: S.: 137-142Рубрикатор НБУВ:
Дод. точки доступу:
Justus-Liebig-Universität Gießen. Fachbereich Physik
Видання зберігається у :
| | 6. |
ІС15125
Cornelius, Steffen.
Charge transport limits and electrical dopant activation in transparent conductive (Al, Ga):ZnO and Nb:TiO2 thin films prepared by reactive magnetron sputtering [Text] : diss. / Steffen Cornelius ; Fak. Mathematik und Naturwissenschaften der Techn. Univ. Dresden. - Dresden, 2014. - 186, [27] p. : fig. - Бібліогр. в кінці дис.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Technischen Universität (Dresden). Fakultät Mathematik und Naturwissenschaften
Видання зберігається у :
Основний фонд
| | 7. |
ІВ223096
Chimseon [Text] : Korean traditional sewing / [writers: Park Ga-yong [et al.] ; transl.: Kim Min-jee ; phot.: Seo Heon-gang, Seon Yu-min ; ill.: Kim Min]. - Seoul : Ministry of culture, sports and tourism : Korea craft & design foundation, 2016. - 164 p. : ill. - (Korean craft and design resource book ; 9). - Бібліогр.: с. 160-161. - ISBN 978-89-97252-58-9. - ISBN 978-89-97252-13-8 (set)Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Географічні рубрики:
Дод. точки доступу:
Park Ga-young (writer.); Kim Yeo-kyung (writer.); Song Su-jin (writer.); Kim Min-jee (пер.); Seo Heon-gang (фото.); Kim Min (ill.)
Видання зберігається у :
Чит. зал образотворчих видань (Філія 1)
| | 8. |
ІС12280
Paget, Daniel.
Detection optique de la resonance nucleaire dans GaAs pur dans des conditions de pompage optique [Text] : thèse / D. Paget ; Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
L'Universite de Paris-Sud
Видання зберігається у :
| | 9. |
ІР6422
Exploration of GaAs stuctures for solid-state detectors [Text] / V. B. Chmil [a.o] ; Institute for high energy physics. - Protvino : [б.в.], 1992. - 10 p.: fig. - (Preprint / IHEP ; 92-59)Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Chmil, V. B.; Chuntonov, A. V.; Sergeev, V. A.; Smol, A. V.; Tsyupa, Yu. P; Institute for high energy physics; IHEP
Видання зберігається у :
| | 10. |
ІВ194073
Dargys, A..
Handbook on physical properties of Ge, Si, GaAs and InP [Text] / A. Dargys, J. Kundrotas. - Vilnius : Science and encyclopedia publ., 1994. - 262 p.: fig. - Бібліогр.: s. 229-246. - ISBN 5-420-01088-7Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Kundrotas, J
Видання зберігається у :
| | 11. |
ІВ198319
Zweigart, Siegmund.
Herstellung von Cu(In,Ga)Sa2- Dünnschichten durch sequentielle Prozesse- Untersuchungen zur Reaktionskinetik [Text] : Diss. / S. Zweigart ; Universität Stuttgart. Fak. Elektrotechnik. - Zürich : [б.в.], 2000. - 144 S.: Abb. - Бібліогр.: S.129-139Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Universität Stuttgart. Fak. Elektrotechnik
Видання зберігається у :
| | 12. |
ІР9932
Jabbarov, Aydin Ismayil.
Hopping mechanisms of phase transitions and charge transport of ABX2 (where A=Cu, Tl; B=Fe, Cr, Co,Ni, Ga, In; X=S, Se, Te) type low-dimensional semiconductors [Text] : abstr. of the diss. ... Dr of Science : 2222.01 / Aydin Ismayil Jabbarov ; [Azerbaijan Nat. Acad. of Sciences, Inst. of Physics, Lab. "Resonance Phenomena in Solids"]. - Baku, 2022. - 51 p. : fig.Рубрикатор НБУВ: УДК: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Azerbaijan National Academy of Sciences. Institute of Physics, Laboratory "Resonance Phenomena in Solids"
Видання зберігається у :
Основний фонд
| | 13. |
Österr.bibl./№3475/Bd. 6
Kindlers Neues Literatur Lexikon [Text] : studienausgabe / hrsg. W. Jens ; Chefred. R. Radler. - München : Kindler, 1988 .
Bd. 6 : Ga-Gr. - 1988. - 976 S. - ISBN 3-463-43200-5Рубрикатор НБУВ: УДК: Тематичні рубрики:
Географічні рубрики:
Дод. точки доступу:
Jens, Walter \hrsg.\; Radler, Rudolph \chefred.\
Видання зберігається у :
| | 14. |
ІВ202987
Rozumek, Michael.
Kristallchemische Eigenschaften ausgewählter Funktions-Keramiken in quasi-quaternären System Ga2O3-La2O3-Mgo-SrO [Text] : diss. / M. Rozumek ; Universität Stuttgart. Fak. Chemie. - Stuttgart : [б.в.], 2003. - 113 p.: fig. - (Bericht / Max-Planck-Institut für Metallforschung, Stuttgart ; nr.135). - Бібліогр.: P.108-113Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Universität Stuttgart. Fak. Chemie; Max-Planck-Institut für Metallforschung, Stuttgart
Видання зберігається у :
| | 15. |
ВА756366
Shoul'ga, I.
Let's Speak English (for bachelors) [Текст] : посіб. [з розм. англ. мови] / I. Shoul'ga ; Харк. нац. аграр. ун-т ім. В. В. Докучаєва. - Х. : ХНАУ, 2009. - 62 с. - Текст укр., англ. - Бібліогр.: с. 62. - 100 прим.Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Шульга, Ірина Валентинівна; Харківський національний аграрний університет імені В. В. Докучаєва
Видання зберігається у :
Основний фонд
| | 16. |
ВА725525
Камалов, Амангелди Базарбаевич.
Oсобенности изготовления и электрофизические свойства контактов n-GaAs(GaP, InP) [Текст] / Камалов А. Б. ; НАН Украини, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова. - К. : [б.и.], 2008. - 122 с. : рис., табл. - Библиогр.: с. 98-122 . - 150 прим. - ISBN 978-966-02-4896-0Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
Універсальний підсобний фонд
Відділ обмінно-резервних фондів
| | 17. |
MFI4098/1-2
Graf, Stephan.
Photon drag spectroscopy of the two-dimensional electron gas in GaAs/AlGaAs quantum well systems [Text] : diss. / S. Graf ; Swiss Federal Institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 2000. - 105 p.: fig. - (ETH-DISS ; 13648)
2 mfisheРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Swiss Federal Institute of technology Zürich
Видання зберігається у :
| | 18. |
ІС12198
La Rana, Giovanni.
Pick-up de proton sur les isotopes de Ga, Ge et As [Text] : these / G. La Rana ; Université de Paris-Sud. Centre d'Orsay. - Paris : [б.в.], 1978. - 64 p.: fig. - Бібліогр.: p.62-64Рубрикатор НБУВ:
Дод. точки доступу:
Université de Paris-Sud. Centre d'Orsay
Видання зберігається у :
| | 19. |
В275099/Phys.33
Reimand, Indrek.
Picosecond dynamics of optical excitations in GaAs and other excitonic systems [Text] / I. Reimand. - Tartu : Tartu university press, 2000. - 174 p.:fig. - (Dissertationes physicae Universitatis Tartuensis ; 33)Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Видання зберігається у :
| | 20. |
ІВ194912
Radiation resistance of GaAs-based microwave Schottky-barrier devices [Text] : some physico-technological aspects / A. Belyaev [a. o.] ; Inst. of semiconductor physics of the Nat. Acad. of sci. of Ukraine, Slovak univ. of technology. - Kyiv : Інтерпрес ЛТД, 1998. - 127 p.: ill. - Бібліогр.: p.117-127. - ISBN 966-501-024-7
Заміна описуРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Belyaev, A. E.; Breza, J.; Venger, E,F.; Vesely, M.; Yu, I...; Inst. of semiconductor physics of the Nat. Acad. of sci. of Ukraine; Slovak univ. of technology
Видання зберігається у :
|
| | |
|
|
Простий
Розширений
Пам`ятка користувача