Пошуковий запит: (<.>U=З852.3$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 168
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
1.  |
ІВ210996
Welker, Armin Christian.
A Quantum dot with three leads: tunnel spectroscopy in the KONDO and the FANO regime; a single-electron-transistor with current gain [Text] : diss. / A. C. Welker ; Fakultät Mathematik und Physik der Universität Stuttgart. - Stuttgart : [б.в.], 2007. - 172 p.: fig. - Бібліогр.: P.164-172Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Fakultät Mathematik und Physik der Universität Stuttgart
Видання зберігається у :
|
| 2. |
MFI2885/1-3
Ryter, Roland.
Analysis and development of high voltage bipolar transistors for BiCMOS smart power applications [Text] : diss / R. Ryter ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 1996. - 211 p.:ill. - (Diss ETH ; 11446)
3 mfisheРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Swiss Federal institute of technology Zürich
Видання зберігається у :
|
| 3. |
MFI1990/1-2
Herrmann, Martin Rudolf.
Charge loss modelling for EPROMs with ONO Interpoly dielectric [Text] : diss. / M. R. Herrmann ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 1991. - 103 p.:ill. - (Diss ETH ; 10817)
2 mfisheРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Swiss Federal institute of technology Zürich
Видання зберігається у :
|
| 4. |
ІВ222026
Zimmerling, Martin.
Ein Verfahren für die Synthese von Pass-Transistor-Schaltungen mit niedrigem Energieverbrauch [Text] : Diss. / Martin Zimmerling ; Fak. Elektrotechnik und Informationstechnik der Techn. Univ. Dresden . - Dresden, 2014. - XIV, 129 S. : Abb. - Бібліогр.: с. 121-129Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Technischen Universität (Dresden). Fakultät Elektrotechnik und Informationstechnik
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 5. |
ІВ199021
Mietzner, Torsten-Karl-Rudolf.
Elektronenverteilungen in kurzen n-Kanal Si-MOSFETs unter Berücksichtigung von Elektron-Elektron-Wechselwirkung [Text] : Diss. / T. Mietzner ; Universität zu Köln. Math.-Naturwiss. Fak. - Köln : [б.в.], 2001. - 124 S.: Abb. - Бібліогр.: S.119-124Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Universität zu Köln. Math. -Naturwiss. Fak.
Видання зберігається у :
|
| 6. |
ІВ229779
Schwarz, Maximiliam.
Fabrication and Electrical Transport Properties of Silver Selenide Nanowire Field-Effect Transistors Obtained via Cation Exchange [Text] : diss. for the attaintment of the degree doctor rerum naturalium (Dr. rer. nat.) / Maximilian Schwarz ; Fakultät für Mathematik, Informatik und Naturwissenschaften, Institut für Physikalische Chemie, Universität Hamburg. - Hamburg : Dr. Hut, 2021. - XV, 173 p. : fig., tab. - Назва на корінці : Electrical Transport Properties of Silver Selenide Nanowire. - Бібліогр.: с. 137-157Рубрикатор НБУВ: УДК: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Die Universität Hamburg. Institut für Physikalische Chemie; Institut für Physikalische Chemie (Hamburg). Fakultät für Mathematik, Informatik und Naturwissenschaften
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 7. |
MFI2524/1-2
Herr, Egon.
Gate oxide integrity of BiMOS power devices [Text] : diss. / E. Herr ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 1994. - 126 p.:fig. - (Diss. ETH ; 10678)
2 mfisheРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Swiss Federal institute of technology Zürich
Видання зберігається у :
|
| 8. |
ІВ193268
Dilger, Markus.
Herstellung und Charakterisierung von Einzelektronentransistoren [Text] : Diss. / M. Dilger ; Universität Stuttgart. Fak. Physik. - Stuttgart : [б.в.], 1996. - 199 S.:Abb. - Бібліогр.: s.191-199Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Universität Stuttgart. Fak. Physik
Видання зберігається у :
|
| 9. |
ІС11858
Löken, Michael.
Herstellung und Charakterisierung von ultraschnellen Photodetektoren [Text] : Diss. / M. Löken ; Universität zu Köln. Math.-Naturwiss. Fak. - Köln : [б.в.], 1999. - IV, 140 S.: Abb. - Бібліогр.: S.129-134Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Universität zu Köln. Math. -Naturwiss. Fak.
Видання зберігається у :
|
| 10. |
MFI4561/1-4
Huber, Dieter.
InP/InGaAs single hetero-junction bipolar for integrated photoreceivers at 40 Gb/s and beyond [Text] : diss. / D. Huber ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 2002. - 213 p.: fig. - (ETH Diss ; 14504)
4 mfisheРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Swiss Federal institute of technology Zürich
Видання зберігається у :
|
| 11. |
ІВ219472
Baldauf, Tim.
Integration von Multi-Gate-Transistoren auf Basis einer 22 nm-Technologie [Text] : Diss. / Tim Baldauf ; Fak. Elektrotechnik und Informationstechnik der Techn. Univ. Dresden. - Dresden, 2014. - X, 187 S. : Abb. - Бібліогр.: с. 173-184Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Technische Universität (Dresden). Fakultät Elektrotechnik und Informationstechnik
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 12. |
ІВ213887
Kaihovirta, Nikolai.
Ion modulated organic transistors [Text] : diss. / Nikolai Kaihovirta ; Dep. of natural sciences Åbo Akad. Univ. [etc.]. - Åbo : Åbo Akad. Univ., 2010. - 98 p. : fig. - Рез. швец. - Бібліогр.: с. 49-57. - ISBN 978-952-12-2468-3Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Åbo Akademi University. Department of natural sciences. Physics; FunMut, center for functional materials; Graduate school of materials research
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 13. |
MFI3801/1-2
Schär-Sager, Adrian.
Kritischer Vergleich unterschiedlicher MCT-Strukturen [Text] : Abh. / A. Schär-Sager ; Eidgenössische Technische Hochschule Zürich. - Zürich : [б.в.], 1997. - 99 S.:Abb. - (Diss ETH ; 12310)
2 mfisheРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Eidgenössische Technische Hochschule Zürich
Видання зберігається у :
|
| 14. |
В276000/Cz. 1
Laboratorium układów elektronicznych [Text]. - Wrocław : Oficyna wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, 1998 .
Cz. 1 / red. A. Prałat. - 1998. - 227 s.: rys. - Бібліогр.: v kinci st. - ISBN 83-7085-379-XРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Prałat, Andrzej (red.)
Видання зберігається у :
|
| 15. |
MFI2777/1-2
Riccobene, Concetta.
Multidimensional analysis of galvanomagnetic effects in magnetotransistors [Text] : diss. / C. Riccobene ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 1995. - 186 p.:ill. - (Diss ETH ; 11077)
2 mfisheРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Swiss Federal institute of technology Zürich
Видання зберігається у :
|
| 16. |
MFI5983/1-5
Palmero, Jose Miguel Ruiz.
Physical IrP-based HBT models for ultimate digital [Text] : diss. / J. M. Palmero ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 2006. - 295 p. - (ETH-Diss ; 16859)
5 mfisheРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Swiss Federal institute of technology Zürich
Видання зберігається у :
|
| 17. |
MFI4501/1-3
Rohner, Marcel.
Physical limitations of InP/InGaAs1/3 heterojunction-bipolar transistors [Text] : diss. / M. Rohner ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 2002. - 176 p.: fig. - (ETH-Diss ; 14508)
3 mfisheРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Swiss Federal institute of technology Zürich
Видання зберігається у :
|
| 18. |
ІВ198317
Frohna, Michael.
Polykristalline CdSe-Dünnfilmtransistoren mit optimierten Eigenschaften und Technologie großflächiger ferroelektrischer Flüssigkristallanzeigen mit Foliensubstraten [Text] : Diss. / M. Frohna ; Universität Stuttgart. Fak. Elektrotechnik und Informationstechnik. - Zürich : [б.в.], 2000. - 123 S.: Abb. - Бібліогр.: S.119-123Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Universität Stuttgart. Fak. Elektrotechnik und Informationstechnik
Видання зберігається у :
|
| 19. |
ІВ215837
Tobјörk, Daniel.
Printed low-voltage organic transistors on plastics and paper [Text] : diss. / Daniel Tobјörk ; Åbo akad. univ., Dep. of natural sciences. - Åbo : Åbo akademi univ., 2012. - VIII, 104 p. : fig. - Бібліогр. в кінці ст. - ISBN 978-952-12-2724-0Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Åbo akademi university. Department of natural sciences
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 20. |
ІВ193206
Wieczorek, Karsten.
Realisierung und Analyse von Prozeßfolgen zur Optimierung von selbstjustierten integrierten Si/SiGe Heterobipolartransistoren [Text] : Diss. / K. Wieczorek ; Ruhr-Universität Bochum. Fak. für Elektrotechnik. - Bochum : [б.в.], 1996. - XII, 207 S.:Abb. - Бібліогр.: S.:193-207Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Ruhr-Universität Bochum. Fak. für Elektrotechnik
Видання зберігається у :
|
| | |
Простий
Розширений
Книжкові видання та компакт-диски
Пам`ятка користувача