Пошуковий запит: (<.>A=Ларкин С$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 20
Представлено документи з 1 до 20
|
1. |
Ларкин С. Ю. Измерение частоты монохроматического СВЧ поля на основе нестационарного эффекта Джозефсона. — К.: Наук. думка, 1999
|
2. |
Луговский В. В. Выполнение программы развития в Украине техники и технологий сверхвысоких частот. — 2007 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
|
3. |
Луговский В. В. Основные положения государственной программы развития техники и технологий СВЧ на 2005 - 2009 гг. в Украине. — 2005 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
|
4. |
Ларкин С. Ю. Разработка устройств для анализа спектра сигналов СВЧ. — 2006 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
|
5. |
Белоголовский М. А. Квантовый транспорт в неоднородных сверхпроводниковых структурах. — 2001 // Физика и техника высоких давлений.
|
6. |
Ларкин С. Ю. Несимметричные двухбарьерные туннельные переходы на основе нитрида ниобия. — 2005 // Изв. вузов. Радиоэлектроника.
|
7. |
Белоголовский М. А. Влияние неупругих столкновений на электронный транспорт в гетероструктурах на основе высокотемпературных сверхпроводников. — 2002 // Вісн. Донец. ун-ту. Сер. А. Природн. науки.
|
8. |
Хачатурова Т. А. Декогеренция электронных состояний в мезоскопических гетероструктурах с потенциальными барьерами. — 2005 // Металлофизика и новейшие технологии.
|
9. |
Шатерник В. Е. Квантовый транспорт в джозефсоновских гетероструктурах. — 2006 // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології.
|
10. |
Шатерник В. Е. Температурное поведение близостных джозефсоновских гетероструктур. — 2007 // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології.
|
11. |
Бойло И. В. Спектр связанных электронных состояний в гетероструктурах, образованных сверхпроводником и ферромагнитными металлами. — 2009 // Изв. вузов. Радиоэлектроника.
|
12. |
Ходаковский Н. И. Исследование зондовых методов получения элементов наноэлектронных приборов и технологии диагностики с использованием электростатической силовой микроскопии. — 2011 // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології.
|
13. |
Шаповалов А. П. Туннельные переходы на основе тонких плёнок MgB2 с разными функциями распределения прозрачностей. — 2011 // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології.
|
14. |
Емельянов А. В. Исследование спектральных зависимостей коэффициента поглощения в тонких пленках гидрированного кремния, полученных разложением смеси моносилана с водородом. — 2012 // Электроника и связь.
|
15. |
Белоголовский М. А. Туннельные устройства с двухзонным изолятором на основе наноразмерных контактов сверхпроводящих и ферромагнитных слоев // Электроника и связь. - 2013. - № 1.
|
16. |
Белоголовский М. А. Наноэлектронные устройства с памятью на основе эффекта электромиграции кислородных вакансий в сложных оксидах переходных металлов // Электроника и связь. - 2013. - № 2.
|
17. |
Богорош А. Т. О нанокристаллических материалах // Авиац.-косм. техника и технология. - 2007. - № 4.
|
18. |
Вакив Н. М. Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p{\up\fs8 +}-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2014. - № 2/3.
|
19. |
Авксентьев Ю. А. Сравнение эффективности рекомбинации неравновесных носителей в структурах с квантовыми точками и квантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии // Электроника и связь. - 2014. - 19, № 2.
|
20. |
Белоголовский М. А. Транспортные характеристики контакта ферромагнитный металл - изолятор - сверхпроводник: определение спиновой поляризации электронов проводимости // Электроника и связь. - 2014. - 19, № 3.
|