В кристалах CdHgTe визначено кількісні умови конкурентоздатності механізмів рекомбінації, досліджено їх вплив на електропольову екстракцію носіїв. Досліджено фотопровідність в кристалах з фотоактивними включеннями. Виявлено механізм деградації, пов'язаний з утворенням насичених ртуттю вузькощілинних рекомбінаційно активних областей. Вивчено стимульовані зовнішніми діями процеси стабільного і метастабільного дефектоутворення і механізми перетворень електронних і фотоелектронних властивостей в об'ємних кристалах; в епітаксійних варізонних структурах, в т.ч. в підкладці, металургійній границі і нарощеному шарі; полікристалічних шарах на альтернативних підкладках з урахуванням взаємодії систем дефектів і фотоелектронних процесів в зернах і на їх межах, в т.ч. в буферних шарах CdTe.