Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
у знайденому
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (21)Автореферати дисертацій (1)Реферативна база даних (48)Авторитетний файл імен осіб (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Давидюк Г$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 49
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Кононюк Л. М. 
Вплив технології вирощування на показники якості та врожайність пшениці озимої в умовах північної частини Лісостепу [Електронний ресурс] / Л. М. Кононюк, Т. А. Натальчук, Г. В. Давидюк // Збірник наукових праць Національного наукового центру "Інститут землеробства НААН". - 2013. - Вип. 1-2. - С. 77-85. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/znpzeml_2013_1-2_12
Попередній перегляд:   Завантажити - 196.682 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Галян В. В. 
Зелена, червона й інфрачервона люмінесценція в склоподібних сплавах системи Ag0.05Ga0.05Ge0.95S2-Er2S3 [Електронний ресурс] / В. В. Галян, А. Г. Кевшин, Г. Є. Давидюк, М. В. Шевчук // Журнал фізичних досліджень. - 2012. - Т. 16, Число 3. - С. 3705-1-3705-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jphd_2012_16_3_10
Попередній перегляд:   Завантажити - 437.156 Kb    Зміст випуску     Цитування
3.

Давидюк Г. М. 
Ігрова діяльність на заняттях з хімії [Електронний ресурс] / Г. М. Давидюк // Педагогічний пошук. - 2014. - № 4. - С. 33–34 . - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/pedp_2014_4_13
Попередній перегляд:   Завантажити - 367.578 Kb    Зміст випуску     Цитування
4.

Корсун С. Г. 
Спосіб фіторемедіації сільськогосподарських земель, забруднених важкими металами [Електронний ресурс] / С. Г. Корсун, Г. В. Давидюк, І. І. Клименко, Н. І. Довбаш, Т. М. Хмара // Землеробство. - 2014. - Вип. 1-2. - С. 51-53. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Zemlerobstvo_2014_1-2_13
Попередній перегляд:   Завантажити - 270.151 Kb    Зміст випуску     Цитування
5.

Давидюк Г. Є. 
Особливості утворення і відпалу нано-розмірних дефектних кластерів в монокристаллах CdS опромінених нейтронами з енергією 1 МеВ [Електронний ресурс] / Г. Є. Давидюк, Г. Л. Мирончук, В. В. Божко // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 3. - С. 643-649. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_3_19
Досліджено електричні, оптичні та фотоелектричні властивості спеціально нелегованих монокристалів CdS, опромінених великими дозами (більше 10<^>18 cм<^>-2) швидких реакторних нейтронів. Встановлено, що в нейтронно опромінених кристалах домінують кластери дефектів (КД). Відпал КД відбувається в інтервалі температур ~ 200 - 400 градусів за Цельсієм і веде до розпаду КД і збагачення кристалічної гратки VCd. Запропоновано несуперечливу фізичну модель експериментально-спостережуваних явищ. Вважається, що в утворенні КД суттєву роль відіграють підпорогові ефекти, зв'язані зі збудженням та іонізацією K-електронної оболонки атомів Cd.
Попередній перегляд:   Завантажити - 417.799 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Кононюк Л. М. 
Врожайність та якість зерна пшениці озимої залежно від технології вирощування в Правобережному Лісостепу [Електронний ресурс] / Л. М. Кононюк, С. Г. Корсун, Г. В. Давидюк // Збірник наукових праць Національного наукового центру "Інститут землеробства НААН". - 2014. - Вип. 4. - С. 46-54. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/znpzeml_2014_4_9
Попередній перегляд:   Завантажити - 187.996 Kb    Зміст випуску     Цитування
7.

Олійник К. М. 
Продуктивність і якість зерна пшениці озимої за різних технологій вирощування [Електронний ресурс] / К. М. Олійник, Г. В. Давидюк // Землеробство. - 2011. - Вип. 83. - С. 72-77. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Zemlerobstvo_2011_83_14
Попередній перегляд:   Завантажити - 134.61 Kb    Зміст випуску     Цитування
8.

Корсун С. Г. 
Ступінь придатності ґрунту для вирощування окремих сільськогосподарських культур [Електронний ресурс] / С. Г. Корсун, Г. В. Давидюк, В. М. Коломієць, М. А. Кущук // Землеробство. - 2012. - Вип. 84. - С. 50--55. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Zemlerobstvo_2012_84_10
Попередній перегляд:   Завантажити - 130.604 Kb    Зміст випуску     Цитування
9.

Давидюк Г. В. 
Особливості визначення придатності ґрунту для вирощування сільськосподарських культур [Електронний ресурс] / Г. В. Давидюк, Р. Є. Грищенко // Збірник наукових праць Національного наукового центру "Інститут землеробства НААН". - 2015. - Вип. 4. - С. 39-45. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/znpzeml_2015_4_7
Попередній перегляд:   Завантажити - 186.747 Kb    Зміст випуску     Цитування
10.

Олійник К. М. 
Вплив елементів технологій вирощування на врожайність та якість зерна пшениці озимої [Електронний ресурс] / К. М. Олійник, Г. В. Давидюк, Л. Ю. Блажевич, Л. В. Худолій // Сортовивчення та охорона прав на сорти рослин. - 2016. - № 4. - С. 45-50. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/stopnsr_2016_4_9
Попередній перегляд:   Завантажити - 604.471 Kb    Зміст випуску     Цитування
11.

Кононюк Л. М. 
Порівняльна оцінка продуктивності та якості сортів пшениці озимої залежно від технології вирощування в умовах північного Лісостепу [Електронний ресурс] / Л. М. Кононюк, К. М. Олійник, Г. В. Давидюк, О. В. Дмитренко, Н. О. Вєтрова // Корми і кормовиробництво. - 2010. - Вип. 66. - С. 176-182. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/kik_2010_66_33
Попередній перегляд:   Завантажити - 351.775 Kb    Зміст випуску     Цитування
12.

Мирончук Г. Л. 
Електричні і оптичні властивості монокристалів AgGaGe2S2Se4 [Електронний ресурс] / Г. Л. Мирончук, Г. Є. Давидюк, О. В. Парасюк, М. В. Шевчук, О. В. Якимчук, С. П. Данильчук // Український фізичний журнал. - 2012. - Т. 57, № 10. - С. 1050-1054. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2012_57_10_9
Досліджено монокристали твердих розчинів 50 мол. % AgGaGeS4 + 50 мол. % AgGaGe3Se8. Внаслідок статистичного розміщення у вузлах кристалічної гратки атомів Ga і Ge, а також наявності вузлів, не заповнених атомами Ag, тверді розчини проявляють властивості невпорядкованих напівпровідників з максимальною щільністю локалізованих енергетичних станів біля середини забороненої зони. Встановлено оптичну та термічну ширину забороненої зони та їх температурну залежність. Монокристали розчину AgGaGe2Se4 виявилися фоточутливими напівпровідниками p-типу провідності з положенням рівня Фермі біля середини забороненої зони. Досліджено особливості електропровідності та спектрального розподілу фотопровідності зразків розчину. Запропоновано несуперечливу фізичну модель, яка дозволяє пояснити експериментально одержані результати.
Попередній перегляд:   Завантажити - 596.214 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
13.

Кітик І. В. 
Вплив легуючих атомів хімічних елементів І, ІІІ і IV груп на деякі фізичні властивостімонокристалів тетрарної сполуки AgGaGe3Se8 [Електронний ресурс] / І. В. Кітик, Г. Л. Мирончук, Г. Є. Давидюк, О. В. Якимчук, О. В. Парасюк, М. Хмель // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету імені Лесі Українки. Фізичні науки. - 2012. - № 3. - С. 8-18. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvvnuf_2012_3_4
Досліджено електричні, оптичні та фотоелектричні властивості монокристалів тетрарної фази AgGaGe3Se8, легованої атомами Cu, In, Si, Sn. Ця сполука - високоомний (10<^>-7 - 10<^>-10 Ом<^>-1см<^>-1, при <$E Т~symbol Ы~300> К) широкозонний напівпровідник (<$E E sub g ~symbol Ы~ 2,4> еВ) p-типу провідності з електричними, оптичними і фотоелектричними параметрами, які залежать від природи і концентрації легуючих домішок. Показано, що легування зразка AgGaGe3Se8 з 5 - 10 % концентрацією домішок веде до просвітлення кристала в області вікна пропускання світла (<$E h nu~<<~ 1,8> еВ). На основі запропонованої фізичної моделі, з врахуванням особливостей невпорядкованих систем, проведено інтерпретацію одержаних експериментальних результатів.
Попередній перегляд:   Завантажити - 751.032 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
14.

Давидюк Г. Є. 
Відпал електрично активних дефектів у нейтронно-опромінених монокристалах CdS [Електронний ресурс] / Г. Є. Давидюк, С. П. Данильчук, В. В. Божко, Г. П. Шаварова // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету імені Лесі Українки. Фізичні науки. - 2012. - № 3. - С. 19-31. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvvnuf_2012_3_5
Встановлено основні стадії відпалу радіаційних дефектів, відповідальних за електропровідність опромінених швидкими реакторними нейтронами монокристалів CdS. Показано, що на першій стадії відпалу ~100 - 200 <$E symbol Р>C відбувається зменшення концентрації точкових дефектів, а за вищих температур ~200 - 400 <$E symbol Р>C відпалюються кластери дефектів. Після відпалу радіаційних дефектів, утворених нейтронною радіацією, електропровідність зразка контролюється мілкими донорами - атомами In, які утворюються внаслідок трансмутації атомів Cd, що зазнали непружних зіткнень з нейтронами. Інтерпретацію експериментальних результатів проведено у межах моделі невпорядкованих систем.
Попередній перегляд:   Завантажити - 3.159 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
15.

Давидюк Г. Є. 
Особливості фотолюмінесценції монокристалів тетрарної сполуки AgGaGeS4 [Електронний ресурс] / Г. Є. Давидюк, Г. Л. Мирончук, О. В. Парасюк, О. М. Юрченко, С. П. Данильчук, І. А. Левчук // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету імені Лесі Українки. Фізичні науки. - 2012. - № 3. - С. 31-39. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvvnuf_2012_3_6
Розвиток сфери комунікаційного зв'язку в області систем управління і новітніх технологій у різних галузях промисловості і виробництва зумовлює потребу одержання дешевих, анізотропних, кристалічних фоточутливих сполук із регульованими параметрами і широкими вікнами пропускання світла, які можуть бути перспективними матеріалами оптоелектроніки, нелінійної оптики тощо. Як показали проведені в останні роки наукові дослідження, до таких матеріалів відносяться деякі багатокомпонентні сполуки. Завдяки низці фізичних властивостей особливо перспективними можуть виявитися халькогенідні фази, для яких аналогами є бінарні халькогеніди групи A<^>IIB<^>VI. Досліджено оптичні та фотоелектричні властивості маловивченої тетрарної монокристалічної сульфідної сполуки AgGaGeS4. Показано, що халькогенідні матеріали даного типу є фоточутливими широкозонними (<$E E sub g~symbol Ы~ 2,8> еВ при T = 300 K) напівпровідниками, спектр люмінесценції яких лежить у видимій області електромагнітного випромінювання (<$E lambda sub m~symbol Ы~ 700~-~735> нм). На основі дослідження температурної залежності інтенсивності випромінювання в максимумі спектрального розподілу фотолюмінесценції запропоновано модель центрів випромінювання, за які за умов низьких температур (<$E T~symbol Ы~ 80~-~180> K) відповідальні донорно-акцепторні пари. Встановлено енергетичне положення в забороненій зоні сполуки компонент пари, висловлено припущення щодо природи донора і акцептора, які входять у склад пари. За високих температур (<$E T~>>~180~-~200> K) механізм випромінювання набуває характеру рекомбінаційної люмінесценції.
Попередній перегляд:   Завантажити - 477.598 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
16.

Давидюк Г. Є. 
Особливості спектрів поглинання і фоточутливості монокристала тетрарної сполуки AgGaGeS4 [Електронний ресурс] / Г. Є. Давидюк, Г. Л. Мирончук, О. В. Парасюк, М. В. Хвищун, С. П. Данильчук, О. В. Замуруєва // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету імені Лесі Українки. Фізичні науки. - 2012. - № 3. - С. 40-47. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvvnuf_2012_3_7
Проведено дослідження дефектних алмазоподібних тетрарних монокристалів AgGaGeS4 (просторова група Fdd2), в яких лише 75 % вузлів у кристалографічній позиції 16b зайняті атомами Ag. Наявність стехіометричних вакансій срібла і статистичне заповнення відповідних вузлів кристалічної гратки атомами Ga і Ge спричиняють появу властивостей невпорядкованих матеріалів у сполуках AgGaGeS4, p-типу провідності. На основі аналізу спектрів поглинання світла в області краю фундаментальних переходів зроблено висновок про існування підзон зони провідності, утворених хвильовими функціями орбіталей валентних електронів атомів Ag, Ga, Ge з різною ефективною масою. Монокристали AgGaGeS4 належать до фоточутливих напівпровідників. Інтерпретацію експериментальних результатів проведено в межах моделі Мотта для невпорядкованих тіл.
Попередній перегляд:   Завантажити - 440.541 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
17.

Давидюк Г. Є. 
Ефективність інфрачервоної люмінесценції в стеклах системи Ag0,05Ga0,05Ge0,95S2–Er2S3 при збудженні довжинами хвиль 532 та 980 нм [Електронний ресурс] / Г. Є. Давидюк, В. В. Галян, А. Г. Кевшин, М. В. Шевчук, С. В. Воронюк // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету імені Лесі Українки. Фізичні науки. - 2012. - № 3. - С. 47-52. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvvnuf_2012_3_8
Склоподібні сплави, активовані іонами рідкісноземельних елементів, становлять значний інтерес для розвитку оптичного зв'язку під час виготовлення оптичних підсилювачів і мікролазерів. Особливу увагу приділяють стеклам, легованим ербієм, оскільки довжина хвилі випромінювання іонів ербію (1,54 мкм) є оптимальною для передачі інформації по волоконно-оптичних лініях зв'язку. У спектральному діапазоні 1450 - 1650 нм за кімнатної температури досліджено спектри люмінесценції і оптичного поглинання стекол (100 - X)Ag0,05Ga0,05Ge0,95S2 - (X)Er2S3, де Х = 0,42, 0,25, 0,18 мол. %. Збудження люмінесценції проведено довжиною хвилі 532 і 980 нм за різної потужності збудження. Вищу інтенсивність люмінесценції у разі однакової потужності збудження зафіксовано за <$E lambda sub roman зб~=~980> нм. Зафіксовану нелінійну залежність інтенсивності фотолюмінесценції від потужності збудження обумовлено апконверсійними процесами.
Попередній перегляд:   Завантажити - 811.19 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
18.

Давидюк Г. Є. 
Вплив атомів легуючої домішки міді на стабілізацію кластерів дефектів у нейтронно опромінених монокристалах CdS [Електронний ресурс] / Г. Є. Давидюк, Г. Л. Мирончук, Г. П. Шаварова, О. В. Якимчук // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету імені Лесі Українки. Фізичні науки. - 2012. - № 16. - С. 3-9. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvvnuf_2012_16_3
Попередній перегляд:   Завантажити - 448.353 Kb    Зміст випуску     Цитування
19.

Давидюк Г. Є. 
Рентгеностимульований відпал радіаційних дефектів у нелегованих монокристалах CdS, опромінених швидкими нейтронами [Електронний ресурс] / Г. Є. Давидюк, Г. Л. Мирончук, О. В. Якимчук, Г. П. Шаварова // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету імені Лесі Українки. Фізичні науки. - 2012. - № 16. - С. 9-18. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvvnuf_2012_16_4
Попередній перегляд:   Завантажити - 463.674 Kb    Зміст випуску     Цитування
20.

Давидюк Г. Є. 
Оптичні властивості кристалів системи Tl1-xIn1-xSnxSe2 (x=0; 0,1; 0,20; 0,25) [Електронний ресурс] / Г. Є. Давидюк, Г. Л. Мирончук, О. В. Парасюк, С. П. Данильчук, В. В. Божко // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету імені Лесі Українки. Фізичні науки. - 2012. - № 16. - С. 19-24. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvvnuf_2012_16_5
Попередній перегляд:   Завантажити - 539.513 Kb    Зміст випуску     Цитування
...
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського