Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Lazarenko P$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1
1.

Lazarenko P. I. 
Influence of the Composition on the Thermoelectric and Electro-physical Properties of Ge-Sb-Te Thin Films for Phase Change Memory Application [Електронний ресурс] / P. I. Lazarenko, A. A. Sherchenkov, S. A. Kozyukhin, D. Y. Terekhov, A. O. Yakubov, A. V. Babich, A. S. Shuliatyev, I. V. Sagunova, E. N. Redichev // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 3. - С. 03033-1-03033-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_3_35
Influence of the composition variation along the quasi-binary line GeTe - Sb2Te3 on the thermoelectric and electro-physical properties of thin films was investigated. GST amorphous thin films have high See-beck coefficients, which drops nearly on the order of magnitude after the crystallization. Temperature dependences of the resistivities were studied, and it was determined that crystallization temperature increases with moving along the quasi-binary line GeTe - Sb2Te3 from GeSb4Te7 to GeSb2Te4, and then to Ge2Sb2Te2, while the phase transition temperature range decreases. Current-voltage characteristics of amorphous thin films haw three voltage ranges with different dependencies due to the different mechanisms of charge carrier transport.
Попередній перегляд:   Завантажити - 648.488 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського