Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>AT=Liubchenko The effect of ion$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1
1.

Liubchenko O. I. 
The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers [Електронний ресурс] / O. I. Liubchenko, V. P. Kladko, H. V. Stanchu, T. M. Sabov, V. P. Melnik, S. B. Kryvyi, A. E. Belyaev // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2019. - Vol. 22, № 1. - С. 119-129. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2019_22_1_20
Compositionally graded AlxGa1-xN alloys with the Al concentration in the (<$E7~symbol Г~x~symbol Г~32>) range were implanted with Ar<^>+ ions to study the structural and strain changes (strain engineering). It was shown that ion implantation leads to ~0,3 - 0,46 % hydrostatic strains and a relatively low damage of the crystal structure. The ion-implantation leads mainly to an increase of the density of point defects, while the dislocation configuration is almost unaffected. The density of microdefects is sufficiently reduced after the postimplantation annealing. The structural quality of the AlxGa1-xN layers strongly depends on the Al concentration and is worsen with increasing Al. The implantation induced structural changes in highly dislocated AlxGa1-xN layers are generally less pronounced. Based on the X-ray diffraction, a model is developed to explain the strain field behavior in the AlxGa1-xN heterostructures by migration of point defects and strain field redistribution. The approach to simulate <$E2 theta "/" omega> scans using statistical dynamical theory of X-ray diffraction for implanted compositionally graded structures AlGaN has been developed.
Попередній перегляд:   Завантажити - 2.844 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського