Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (1) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>K=А2В6<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 10 Представлено документи з 1 до 10 |
|||
| 1. | 
Гриньов Б. В. Властивості халькогенідних сцинтиляторів на основі сполук А2В6, легованих ізовалентними домішками [Електронний ресурс] / Б. В. Гриньов, В. Д. Рижиков, В. П. Семиноженко, М. Г. Старжинський // Доповiдi Національної академії наук України. - 2007. - № 8. - С. 84-90. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2007_8_17 Problems related to the development of physico-technological foundations of the preparation of scintillation materials on the basis of zinc selenide and other <$E roman {A sup II B sup VI}> compounds, as well as the complex studies of properties of new chalcogenide scintillators (CS), are considered. The processes of formation and transformation of the complex lattice defects that play the role of luminescence centers in <$E roman {A sup II B sup VI}>-based CS have been studied. New technological methods have been developed for the preparation of a series of practically important scintillation materials of high efficiency, with the absolute light output up to <$E 7~cdot~10 sup 4> photon/MeV, a diversity of spectral-kinetic luminescence properties, and the radiation stability up to <$E 10 sup 9> rad. It has been shown that such specific features of CS properties as the high light output; relatively small atomic number, "fast" or "slow" scintillation kinetics, very low afterglow level (less than 0,001 %), allow the development of novel detection systems for multienergy radiography with improved sensitivity, as well as other radiation sensitive devices. | ||
| 2. | 
Коваленко А. В. Лазерные квантоворазмерные структуры на основе соединений А2В6 (обзор) [Електронний ресурс] / А. В. Коваленко, Д. В. Корбутяк, С. И. Будзуляк // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2011. - Вып. 46. - С. 7-27. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2011_46_3 | ||
| 3. | 
Горічок І. В. Енергії утворення вакансій у кристалах А2В6 [Електронний ресурс] / І. В. Горічок // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 2. - С. 322-324. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_2_9 Використовуючи напівемпіричний метод, розраховано енергії утворення моновакансій металу та халькогену у кристалах A<^>2 | ||
| 4. |
Зубкова С. М. Особенности электронного строения поверхности (111) в кристаллах типа А2В6 [Електронний ресурс] / С. М. Зубкова, Л. Н. Русина // Доповіді Національної академії наук України. - 2014. - № 1. - С. 72-80. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2014_1_14 Для полярной поверхности (111) в кристаллах типа A<^>2 | ||
| 5. | 
Юрійчук І. М. Коливні стани власних дефектів у напівпровідниках групи А2В6 [Електронний ресурс] / І. М. Юрійчук // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 1999. - Вип. 50. - С. 79-81. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_1999_50_28 | ||
| 6. |
Курек І. Г. Енергетична структура домішок перехідних елементів групи заліза у напівпровідникових сполуках А2В6 [Електронний ресурс] / І. Г. Курек // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 1999. - Вип. 57. - С. 62-66. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_1999_57_14 | ||
| 7. | 
Мирсагатов Ш. А. Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов А2В6-соединений для спектрального диапазона l=500 – 650 nm [Електронний ресурс] / Ш. А. Мирсагатов, Б. Н. Заверюхин, О. К. Атабоев, Н. Н. Заверюхина // Український фізичний журнал. - 2013. - Т. 58, № 5. - С. 465-472. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2013_58_5_9 | ||
| 8. |
Крюченко Ю. В. Гібридні наноструктури з квантовими точками А2В6 і металевими наночастинками (огляд) [Електронний ресурс] / Ю. В. Крюченко, Д. В. Корбутяк // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2016. - Вып. 51. - С. 7-30. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2016_51_4 Проаналізовано сучасний стан створення різноманітних гібридних напівпровідниково-металевих наноструктур і дослідження їх люмінесцентних властивостей. Такі структури демонструють незвичайні оптичні характеристики внаслідок можливості одночасного існування локалізованих поверхневих плазмонів у металевих наночастинках та екситонів у напівпровідникових квантових точках та їх резонансної взаємодії. Описано сучасний стан досліджень характеристик мерехтіння окремих квантових точок і квантових точок в околі металевих наночастинок. | ||
| 9. | 
Горічок І. В. Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах А2В6 [Електронний ресурс] / І. В. Горічок // Украинский химический журнал. - 2012. - Т. 78, № 12. - С. 107-110. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UKhJh_2012_78_11-12_18 Визначено ентальпії утворення комплексів точкових дефектів, що складаються з атома домішки, який заміщує у матриці катіон чи аніон, та аніонної або катіонної вакансії у сусідньому вузлі. Розрахунок проведено для кристалів ZnSe, ZnTe, CdSe, CdTe, легованих елементами першої (Cu, Ag, Аu) та сьомої (Сl, Вr, I) груп періодичної таблиці. На основі одержаних результатів проведено порівняльний аналіз ймовірності утворення зазначених комплексів у кристалах A | ||
| 10. |
Корбутяк Д. В. Поверхнева люмінесценція напівпровідникових квантових точок А2В6 (Огляд) [Електронний ресурс] / Д. В. Корбутяк, І. М. Купчак // Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка. - 2021. - Вип. 56. - С. 27-38. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2021_56_4 Напівпровідникові нуль-мірні нанокристали - квантові точки (КТ) - в останні десятиліття знаходять все ширше застосування в різних областях опто- і наноелектроніки. Квантовим точкам притаманна екситонна природа люмінесценції, керувати якою можна завдяки відомому квантово-розмірному ефекту. У той же час, при малих розмірах КТ, значно зростає вплив поверхні на оптичні та структурні властивості нанокристалів. Наявність обірваних зв'язків поверхневих атомів та точкових дефектів - вакансій і міжвузлових атомів - можуть як послабити екситонну люмінесценцію, так і створити нові ефективні канали випроміню-вальної люмінесценції. Цей огляд присвячений дослідженню поверхневих (дефектних) станів та пов'язаної з ними люмінесценції, а також аналізу можливих дефектів у нанокристалах напівпровідникових сполук A | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |