Бази даних


Наукова періодика України - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій



Пошуковий запит: (<.>AT=Кітик Вплив легуючих атомів хімічних$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1
1.

Кітик І. В. 
Вплив легуючих атомів хімічних елементів І, ІІІ і IV груп на деякі фізичні властивостімонокристалів тетрарної сполуки AgGaGe3Se8 [Електронний ресурс] / І. В. Кітик, Г. Л. Мирончук, Г. Є. Давидюк, О. В. Якимчук, О. В. Парасюк, М. Хмель // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету імені Лесі Українки. Фізичні науки. - 2012. - № 3. - С. 8-18. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvvnuf_2012_3_4
Досліджено електричні, оптичні та фотоелектричні властивості монокристалів тетрарної фази AgGaGe3Se8, легованої атомами Cu, In, Si, Sn. Ця сполука - високоомний (10<^>-7 - 10<^>-10 Ом<^>-1см<^>-1, при <$E Т~symbol Ы~300> К) широкозонний напівпровідник (<$E E sub g ~symbol Ы~ 2,4> еВ) p-типу провідності з електричними, оптичними і фотоелектричними параметрами, які залежать від природи і концентрації легуючих домішок. Показано, що легування зразка AgGaGe3Se8 з 5 - 10 % концентрацією домішок веде до просвітлення кристала в області вікна пропускання світла (<$E h nu~<<~ 1,8> еВ). На основі запропонованої фізичної моделі, з врахуванням особливостей невпорядкованих систем, проведено інтерпретацію одержаних експериментальних результатів.
Попередній перегляд:   Завантажити - 751.032 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського