Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>AT=Кітик Вплив легуючих атомів хімічних$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
1. |
Кітик І. В. Вплив легуючих атомів хімічних елементів І, ІІІ і IV груп на деякі фізичні властивостімонокристалів тетрарної сполуки AgGaGe3Se8 [Електронний ресурс] / І. В. Кітик, Г. Л. Мирончук, Г. Є. Давидюк, О. В. Якимчук, О. В. Парасюк, М. Хмель // Науковий вісник Східноєвропейського національного університету імені Лесі Українки. Фізичні науки. - 2012. - № 3. - С. 8-18. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvvnuf_2012_3_4 Досліджено електричні, оптичні та фотоелектричні властивості монокристалів тетрарної фази AgGaGe3Se8, легованої атомами Cu, In, Si, Sn. Ця сполука - високоомний (10<^>-7 - 10<^>-10 Ом<^>-1см<^>-1, при <$E Т~symbol Ы~300> К) широкозонний напівпровідник (<$E E sub g ~symbol Ы~ 2,4> еВ) p-типу провідності з електричними, оптичними і фотоелектричними параметрами, які залежать від природи і концентрації легуючих домішок. Показано, що легування зразка AgGaGe3Se8 з 5 - 10 % концентрацією домішок веде до просвітлення кристала в області вікна пропускання світла (<$E h nu~<<~ 1,8> еВ). На основі запропонованої фізичної моделі, з врахуванням особливостей невпорядкованих систем, проведено інтерпретацію одержаних експериментальних результатів.
|
|
|