Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>AT=Руденко Поведінка водню при кристалізації$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1
1.

Руденко Р. М. 
Поведінка водню при кристалізації тонких плівок кремнію, легованих оловом [Електронний ресурс] / Р. М. Руденко, М. М. Красько, В. В. Войтович, А. Г. Колосюк, В. Ю. Поварчук, А. М. Крайчинський, В. О. Юхимчук, М. В. Войтович, В. Я. Братусь, І. А. Залоїло // Український фізичний журнал. - 2013. - Т. 58, № 12. - С. 1166-1171. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2013_58_12_10
Досліджено поведінку домішки водню під час кристалізації тонких плівок кремнію, легованих оловом (a-SiSn). Встановлено, що у плівках a-SiSn (вміст Sn ~ 1 - 10 ат. %) безпосередньо після осадження (300 градусів за Цельсієм) відсутня смуга ІЧ поглинання на кремній-водневих зв'язках (область ~ 2000 - 2200 см<^>-1). У нелегованому a-Si вміст водню стає меншим за межу чутливості даної методики дослідження лише після відпалу при 700 градусів за Цельсієм. Факт відсутності водню у a-SiSn добре узгоджується з електронно-парамагнітними резонансними дослідженнями та структурними перетвореннями плівок за термообробок, які досліджено за допомогою методу комбінаційного розсіяння світла. Показано, що формування кристалічної фази у a-SiSn відбувається за нижчих температур у порівнянні з a-Si. У цьому випадку спостерігається кореляція між температурою кристалізації Si кластерів і концентрацією домішки олова. Враховуючи те, що олово зменшує температуру ефузії водню з об'єму плівок і, відповідно, стимулює впорядкування структури зразків, можна припустити, що домішка водню бере участь у процесах, що ведуть до зниження температури кристалізації a-SiSn.
Попередній перегляд:   Завантажити - 315.573 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського