Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>AT=Pagava Hall-effect study of disordered$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
1. |
Pagava T. A. Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated n-Si crystals [Електронний ресурс] / T. A. Pagava, M. G. Beridze, N. I. Maisuradze, L. S. Chkhartishvili, I. G. Kalandadze // Ukrainian journal of physics. - 2013. - Vol. 58, № 8. - С. 773-779. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2013_58_8_12 Досліджено природу та розміри розупорядкованих областей, створюваних у монокристалах n-Si опроміненням високоенергетичними (25 МеВ) протонами, за допомогою холлівських вимірювань електрофізичних параметрів. Використано зонноплавлені зразки, леговані фосфором з концентрацією <$E 6~cdot~10 sup 13> см<^>-3. Опромінення проведено за умови кімнатної температури в інтервалі доз <$E (1,8~-~8,1)~cdot~10 sup 12> см<^>-2. У ряді зразків, залежно від дози опромінення та температури ізохронного відпалу, спостережено різке збільшення ефективної холлівської рухливості <$E mu sub roman eff>, що пояснюється утворенням у зразках у випадку їх опромінення високоенергетичними протонами "металевих" включень, тобто областей із провідністю істотно вищою у порівнянні з провідністю напівпровідникової матриці. Радіус подібних областей оцінено як <$E R sub m~<<~ 80> нм. Висловлено припущення, що "металеві" включення є нанорозмірними атомними кластерами.
|
|
|