Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (5) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Gamov D$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 3 Представлено документи з 1 до 3 |
|||
| 1. | 
Oberemok O. S. Mechanism of Oxygen Redistribution During Ultra-Shallow Junction Formation in Silicon [Електронний ресурс] / O. S. Oberemok, D. V. Gamov, V. G. Litovchenko, B. M. Romanyuk, V. P. Melnik, V. P. Klad’ko, V. G. Popov, O. Yo. Gudymenko // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties. - 2013. - Vol. 2, no. 1. - С. 01PCSI14-01PCSI14. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/princon_2013_2_1_57 | ||
| 2. | 
Oberemok O. S. Formation of silicon nanoclusters in buried ultra-thin oxide layers [Електронний ресурс] / O. S. Oberemok, V. G. Litovchenko, D. V. Gamov, V. G. Popov, V. P. Melnik, O. Yo. Gudymenko, V. A. Nikirin, І. M. Khatsevich // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 3. - С. 269-272. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_3_4 The peculiarities of buried layer formation obtained by co-implantation of O | ||
| 3. | 
Gamov D. V. Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions [Електронний ресурс] / D. V. Gamov, O. I. Gudymenko, V. P. Kladko, V. G. Litovchenko, V. P. Melnik, O. S. Oberemok, V. G. Popov, Yu. O. Polishchuk, B. M. Romaniuk, V. V. Chernenko, V. M. Naseka // Ukrainian journal of physics. - 2013. - Vol. 58, № 9. - С. 881-887. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2013_58_9_13 Проведено порівняльні дослідження процесів дефектоутворення та зміни часу життя не основних нерівноважних носіїв заряду в кремнії у процесі гетерування домішки заліза комбінованим гетером "шар поруватого кремнію + плівка алюмінію". Показано, що в процесі відпалу зразків без гетерного шару в імплантованій області формуються силіцид заліза та дефекти вакансійного типу, внаслідок чого спостерігається сильне зниження часу життя нерівноважних неосновних носіїв заряду. Проведено дослідження впливу гетерного шару на процеси дефектоутворення та перерозподілу атомів заліза, імплантованих в кремній, у випадку їх високих концентрацій в приповерхневій області. Показано, що наявність гетерного шару зменшує ефективність силіцидоутворення в імплантованій області та збільшує концентрацію міжвузлових дефектів у кремнії. Запропоновано фізичну модель процесу гетерування, яка враховує зменшення концентрації атомів заліза в імплантованій області за рахунок гетерування і зменшення концентрації вакансійних дефектів, а також одночасне зростання концентрації дефектів міжвузлового типу, які пов'язані з формуванням комплексів заліза з атомами бору. Саме ці комплекси є рекомбінаційно-активними і не дають можливість відновити час життя носіїв заряду до вихідного значення. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |