Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (8)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Gentsar P$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
1.

Gentsar P. O. 
Laser-stimulated enhancement of the reflectance of single-crystalline n-GaAs(100) [Електронний ресурс] / P. O. Gentsar, O. I. Vlasenko, S. M. Levytskyi // Ukrainian journal of physics. - 2017. - Vol. 62, № 11. - С. 953-956. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2017_62_11_6
Попередній перегляд:   Завантажити - 449.487 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Gentsar P. O. 
Influence of Laser Radiation on Optical Properties of High Resistivity CdTe Crystals and Cd1 – xZnxTe Solid Solutions in the Field of the Fundamental Optical Transition E0 [Електронний ресурс] / P. O. Gentsar, S. M. Levytskyi // Journal of nano- and electronic physics. - 2020. - Vol. 12, no. 3. - С. 03013-1-03013-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2020_12_3_15
Проведено оптичні дослідження спектрів пропускання та відбивання монокристалів p-CdTe (111) та твердих розчинів Cd1-хZnхTe (x = 0,1) в діапазоні <$E (0,8~-~1,7)~cdot~10 sup -6> м до та після лазерного опромінення на довжині електромагнітної хвилі <$Elambda~=~355> нм в інтервалі енергій 5,8 - 21,0 мДж/см<^>2. Показано збільшення відбиваючої здатності досліджуваних матеріалів у разі даної лазерної обробки, що пояснюється інтегральним ефектом, тобто у процесі оптичного відбивання приймає участь тонкий приповерхневий шар напівпровідникового матеріалу та об'єм матеріалу (комплексний показник заломлення приповерхневого шару <$E{n tilde } sub s> відрізняється від комплексного показника заломлення об'ємного матеріалу <$E{n tilde } sub upsilon>). Одержані спектри відбивання зразків свідчать, що під час опромінення відбувається лазерно-стимульована взаємодія домішок і дефектів, що призводить до утворення нейтральних комплексів та зменшення інтенсивності процесів домішкового розсіювання. Встановлено, що основним механізмом впливу імпульсного лазерного опромінення на оптичні властивості тонких приповерхневих шарів досліджених кристалів є структурне гетерування, тобто поглинання, зумовлене наявністю ділянок напівпровідників, що мають дефектну структуру і володіють здатністю активно поглинати точкові дефекти і зв'язувати домішки. В монокристалах p-CdTe (111) та твердих розчинах Cd1-хZnхTe (x = 0,1) роль гетера виконують окисли кадмію, телуру, цинку та їх комплекси.
Попередній перегляд:   Завантажити - 465.94 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Gentsar P. O. 
Influence of pulsed 266-nm laser radiation on the optical properties of CdTe and Cd0.9Zn0.1Te in the region of the fundamental optical transition [Електронний ресурс] / P. O. Gentsar, S. M. Levytskyi, A. V. Stronski // Ukrainian journal of physics. - 2021. - Vol. 66, № 3. - С. 260-264. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2021_66_3_11
Попередній перегляд:   Завантажити - 680.769 Kb    Зміст випуску     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського