Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (8) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Klimovskaya A$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 5 Представлено документи з 1 до 5 |
|||
| 1. | 
Rudko G. Yu. Structural and photoluminescence properties of ZnO nanowires [Електронний ресурс] / G. Yu. Rudko, I. V. Dubrovin, A. I. Klimovskaya, E. G. Gule, P. M. Lytvyn, Yu. M. Lytvyn, S. P. Turanska // Ukrainian journal of physics. - 2012. - Vol. 57, № 12. - С. 1239-1243. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2012_57_12_9 Масиви нанодротів ZnO вирощено за механізмом пара - рідина - кристал на кремнієвих підкладках і досліджено за допомогою методів рентгенівської дифрактометрії, сканувальної електронної мікроскопії та атомно-силової мікроскопії. Результати цих досліджень свідчать про те, що діаметри нанодротів варіюються в межах 50 - 300 нм, а їх довжина сягає 40 мкм. Для вирощених нанодротів є характерною інтенсивна фотолюмінесценція, в спектрі якої домінують близькокрайова смуга та одна чи дві (залежно від умов вирощування) дефектні смуги. Співвідношення інтенсивностей цих смуг відображає нестехіометричність матеріалу і залежить від температури випаровування цинку та температури в зоні росту нанодротів. | ||
| 2. | 
Rudko G. Yu. Structural and photoluminescence properties of ZnO nanowires [Електронний ресурс] / G. Yu. Rudko, I. V. Dubrovin, A. I. Klimovskaya, E. G. Gule, P. M. Lytvyn, Yu. M. Lytvyn, S. P. Turanska // Український фізичний журнал. - 2012. - Т. 57, № 12. - С. 1240-1244. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2012_57_12_9 Масиви нанодротів ZnO вирощено за механізмом пара - рідина - кристал на кремнієвих підкладках і досліджено за допомогою методів рентгенівської дифрактометрії, сканувальної електронної мікроскопії та атомно-силової мікроскопії. Результати цих досліджень свідчать про те, що діаметри нанодротів варіюються в межах 50 - 300 нм, а їх довжина сягає 40 мкм. Для вирощених нанодротів є характерною інтенсивна фотолюмінесценція, в спектрі якої домінують близькокрайова смуга та одна чи дві (залежно від умов вирощування) дефектні смуги. Співвідношення інтенсивностей цих смуг відображає нестехіометричність матеріалу і залежить від температури випаровування цинку та температури в зоні росту нанодротів. | ||
| 3. | 
Klimovskaya A. I. Growth of silicon self-assembled nanowires by using gold-enhanced CVD technology [Електронний ресурс] / A. I. Klimovskaya, Yu. Yu. Kalashnyk, A. T. Voroshchenko, O. S. Oberemok, Yu. M. Pedchenko, P. M. Lytvyn // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2018. - Vol. 21, № 3. - С. 282-287. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2018_21_3_12 In spite of the fact that, a great deal of experimental research has been published, there is a lack of good understanding of silicon nanowires growth to exert control over important properties of the system, though it presents the simplest system like gold on silicon substrate. In the current research, to find the best conditions to grow silicon nanowires with prespecifted properties, we studied various technological regimes both of growth-seed formation and conditions of silicon nanowires growth. | ||
| 4. |
Klimovskaya A. I. Mechanical strain in the structure of array of silicon nanowires grown on a silicon substrate [Електронний ресурс] / A. I. Klimovskaya, B. D. Shanina, A. S. Nikolenko, P. M. Lytvyn, Yu. Yu. Kalashnyk, V. V. Strelchuk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2019. - Vol. 22, № 3. - С. 293-298. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2019_22_3_7 We present experimental research on mechanical strains in the structure consisting of an array of silicon nanowires grown using the metal-enhanced CVD technique on boron-doped Si(111) and Si(100) substrates. Using the electron beam induced current on a cleaved substrate, electron spin resonance, and confocal micro-Raman spectroscopy, we found that growth of silicon nanowires on a native (silicon) substrate gives rise to a strain both of the substrate and grown nanowires, too. An occurrence of the strain in the substrate was revealed by an initiation of the electron spin resonance signal from boron atoms, which is not resolved usually in unstressed silicon due to a complex energy structure of a top of the valence band. Furthermore, the strain of the substrate was proved additionally by observation of spatial dependence of the current induced by electron beam on a cleaved substrate, and by the spectral shift of Raman peak related to 3C - Si near the interface "substrate - array of nanowires". Mechanical strain in the nanowires was more pronounced in the Raman spectra, which also revealed their complex crystal structure consisting of cubic and hexagonal phases of silicon. Model of the strain rise is discussed. | ||
| 5. | 
Klimovskaya A. I. Coulomb interactions at the silicon wire-nervous tissue interface [Електронний ресурс] / A. I. Klimovskaya, Yu. B. Chaikovsky, O. V. Naumova, N. A. Vysotskaya, A. V. Korsak, V. V. Likhodiievskyi, B. I. Fomin // Світ медицини та біології. - 2016. - № 1. - С. 134-139. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/S_med_2016_1_34 | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |