Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (3) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Muminov R$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 3 Представлено документи з 1 до 3 |
|||
| 1. | 
Muminov R. A. Electrophysical characteristics of large-size aSi-Si(Li) detector heterostructures [Електронний ресурс] / R. A. Muminov, A. K. Saymbetov, Yo. K. Toshmurodov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 3. - С. 285-287. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_3_19 Electrophysical properties of large-size detector heterostructures based on a alphaSi-Si(Li) have been investigated in this paper. The results prove that these detector heterostructures are more effective as compared to the structures obtained using the conventional diffusion technique. One can certainly predict availability of highly effective current-voltage and capacitance-voltage characteristics in these structures. | ||
| 2. | 
Muminov R. A. Physical Features of Double Sided Diffusion of Lithium into Silicon for Large Size Detectors [Електронний ресурс] / R. A. Muminov, A. K. Saymbetov, N. M. Japashov, Yo. K. Toshmurodov, S. A. Radzhapov, N. B. Kuttybay, M. K. Nurgaliyev // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 2. - С. 02031-1-02031-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2019_11_2_33 Запропоновано новий метод двосторонньої дифузії іонів літію в монокристалічну кремнієву пластину для подальшого виготовлення детекторів ядерного випромінювання Si (Li) з діаметром чутливої поверхні більше 110 мм і товщиною чутливого шару більше 4 мм. Встановлено, що оптимальний режим для дифузії літію у силікон великого розміру має місце за температури <$ET~=~(450~symbol С~20)~symbol Р roman C>, часу t = 3 хв та глибини проникнення літію <$Eh sub roman Li~=~(300~symbol С~10)> мм. Розглянуто теоретичні припущення та експериментальні характеристики двосторонньої дифузії. Як вихідні матеріали використовували монокристалічний циліндричний кремнієвий кристал p-типу без дислокацій, одержаний за допомогою методу зонного плавлення (діаметром 110 мм, товщиною 8 - 10 мм, з питомим опором <$Erho~=~1000~-~10~000> Ом-см і часом життя <$Etau~symbol У~500> мкс), і кремнієвий кристал p-типу, одержаний за допомогою методу Чохральського (з діаметром 110 мм, питомим опором <$Erho~=~10~-~12> Ом-см, часом життя <$Etau~symbol У~50> мкс, вирощений в атмосфері аргону). Відповідно, вдосконалено технологічні процеси механічної та хімічної обробки напівпровідникових пластин на основі кремнію великої площі. | ||
| 3. |
Muminov R. A. Application of Additional Leveling Drift Process to Improve the Electrophysical Parameters of Large Sized Si(Li) p-i-n Structures [Електронний ресурс] / R. A. Muminov, G. J. Ergashev, A. K. Saymbetov, Yo. K. Toshmurodov, S. A. Radzhapov, A. A. Mansurova, N. M. Japashov, Y. A. Svanbayev // Journal of nano- and electronic physics. - 2020. - Vol. 12, no. 1. - С. 01006-1-01006-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2020_12_1_8 Розробка детекторів Si (Li) великих розмірів (з діаметром чутливої області більше 110 мм), з високою енергією та точністю позиціонування, лінійністю сигналів у широкому енергетичному діапазоні для альфа, бета та гамма-частинок все ще залишається досить складною проблемою. Запропоновано технологію вдосконалення процедури виготовлення структурованих p-i-n детекторів Si (Li). Розглянуто метод додаткового "згладжування" дрейфу до вже підготовлених детекторів Si (Li), щоб досягти рівномірно скомпенсованої чутливої області по всьому об'єму та згладити локальні ділянки нескомпенсованих областей детекторів за певної температури та електричного поля. Одержані експериментальні результати показують, що проведення додаткового процесу "згладжування" дрейфу забезпечує рівномірний розподіл іонів літію в кремнії і є однією з основних технологічних операцій. Вибір температурно-часового режиму "згладжування" дрейфу залежить від питомого опору вихідного матеріалу. Тому для детекторів, одержаних на основі монокристалічного кремнію p-типу з високим опором (одержаним за допомогою методу поплавкової зони) та низьким опором (одержаним за методом Чохральського), було проведено додаткове "згладжування" дрейфу та порівняно їх електрофізичні реакції. Отже, було визначено, що для матеріалів з низьким опором "згладжування" дрейфу є більш ефективним. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |