Пошуковий запит: (<.>U=В379$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 7362
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Martin P. M. Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 2. |
Daweritz L. Characteristics of interface corrugations in short-period GaAs/AlAs superlattices. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 3. |
Auleytner J. Comprehensive Investigation of Geometric Disorder of GaAs Surfaces by Complementary Methods. — 2000 // Укр. фіз. журн.
|
| 4. |
Tomaka G. Controlling of the thermal stress in the multiple quantum wells using magnetophonon spectroscopy. — 2000 // Наук. вісн. Ужгород. ун-ту. Сер. Фізика.
|
| 5. |
Torchinskaya T. V. Effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 6. |
Shevchenko V. B. Evidence for photochemical transformations in porous silicon. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 7. |
Prudnikov A. Influence of oxygen dopant in silicon on pressure-induced phase transitions. — 2001 // Физика и техника высоких давлений.
|
| 8. |
Matzui L. Influence of the Temperature, Type and Concentration of Intercalant on Characteristics of Thermoexfoliated Graphite. — 1999 // Металлофизика и новейшие технологии.
|
| 9. |
Kaganovich E. B. Interface electronic properties of heterojunctions based on nanocrystalline silicon. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 10. |
Volodin N. M. Investigation of growth conditions, crystal structure and surface morphology of SmS films fabricated by MOCVD technique. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 11. |
Boiko I. I. Investigation of the photoelastic effect in Si at high values of the absorptivity. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 12. |
Grigorchuk N. I. Light absorption by d-dimensional organic semiconductors under exciton transitions between broad bands. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 13. |
Stasyuk I. V. Microscopic model of phase transitions in DMAGaS and DMAAlS crystals. — Л., 1999. — 14 с. - (Препр. / НАН України. Ін-т фізики конденс. систем; ICMP-99-19E).
|
| 14. |
Shestopalov V. P. Morse critical points of the dispersion equations and evolution equations of a quasi homogeneous structure. — 2000 // Укр. фіз. журн.
|
| 15. |
Luzzi R. On Bogolyubov's principle of correlation weakening. — 2000 // Укр. фіз. журн.
|
| 16. |
Semenov Yu. G. On the theory of carrier-induced ferromagnetism in diluted magnetic semiconductors. — 2000 // Физика низ. температур.
|
| 17. |
Svechnikov S. V. Photosensitive porous silicon based structures. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 18. |
Fogel N. Ya. Quantum size effect and interlayer electron tunneling in metal-semiconductor superlattices. — 1999 // Физика низ. температур.
|
| 19. |
Malysh N. I. Saturation of optical absorption in CdS single crystals . — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 20. |
Beletskii N. N. Surface magnetoplasma waves in semiconductor structures. — 1998 // Укр. фіз. журн.
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
