Бази даних


Наукова періодика України - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій



Пошуковий запит: (<.>K=V1<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
1.

Ромака В. А. 
Дослідження напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb. I. Особливості електрокінетичних характеристик [Електронний ресурс] / В. А. Ромака, П. Рогль, Ю. В. Стадник, Л. П. Ромака, Р. О. Корж, Д. Качаровський, В.Я. Крайовський, А. М. Горинь // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16, № 1. - С. 111-114. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2015_16_1_19
Досліджено особливості температурних і концентраційних характеристик питомого електроопору та коефіцієнта термоерс напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb у діапазонах температур і концентрацій: T = 4,2 - 400 K і Ti NTiA = 9,5 x 1019 - 3,6 x 1021 см-3 (x = 0,005 - 0,20). Встановлено існування невідомого раніше механізму генерування структурних дефектів донорної природи, які визначають провідність n-VFeSb і V1-xTixFeSb. Підтверджено акцепторну природу структурних дефектів, генерованих у V1-xTixFeSb, за заміщення V атомами Ti.Досліджено особливості кристалічної та електронної структур напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb, x = 0 - 0,20. Описано механізм генерування у кристалі структурних дефектів акцепторної та донорної природи. Зокрема, встановлено природу донорів у n-VFeSb ("апріорне легування") як результат наявності вакансій у позиції атомів Sb (4b). Одержаний результат лежить в основі технології одержання нових термоелектричних матеріалів на основі n-VFeSb з максимальною ефективністю перетворення теплової енергії в електричну.Досліджено кристалічну та електронну структури напівпровідникового твердого розчину ZrNiSn1-xBix у концентраційному діапазоні x = 0 - 0,10. Проаналізовано можливі механізми провідності напівпровідника та спрогнозовано умови одержання максимальних значень коефіцієнта термоелектричної потужності Z*.Досліджено вплив акцепторної домішки Rh на кристалічну й електронну структури інтерметалічного напівпровідника n-HfNiSn у діапазонах концентрації домішки <$E N sub A sup Rh~symbol Ы~9,5~cdot~10 sup 19> см<^>-3 (x = 0,005) - <$E 1,9~cdot~10 sup 21> см<^>-3 (x = 0,10). Визначено механізми дефектоутворення нелегованого напівпровідника n-HfNiSn і сильно легованого атомами Rh. Вивчено вплив домішки на зміну енергетичних станів HfNi1-xRhxSn.Досліджено кристалічну й електронну структури та магнітні властивості напівпровідникового твердого розчину HfNi1-xCoxSn у концентраційному діапазоні x = 0 - 0,40. Проаналізовано можливі механізми електропровідності HfNi1-xCoxSn за різних концентрацій і температур.
Попередній перегляд:   Завантажити - 580.38 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Ромака В. В. 
Дослідження напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb. II. Особливості кристалічної та електронної структур [Електронний ресурс] / В. В. Ромака, П. Рогль, Л. П. Ромака, Ю. В. Стадник, Р. О. Корж, В. Я. Крайовський, Т. М. Ковбасюк, Н. В. Цигилик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16, № 2. - С. 335-340. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2015_16_2_19
Досліджено особливості температурних і концентраційних характеристик питомого електроопору та коефіцієнта термоерс напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb у діапазонах температур і концентрацій: T = 4,2 - 400 K і Ti NTiA = 9,5 x 1019 - 3,6 x 1021 см-3 (x = 0,005 - 0,20). Встановлено існування невідомого раніше механізму генерування структурних дефектів донорної природи, які визначають провідність n-VFeSb і V1-xTixFeSb. Підтверджено акцепторну природу структурних дефектів, генерованих у V1-xTixFeSb, за заміщення V атомами Ti.Досліджено особливості кристалічної та електронної структур напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb, x = 0 - 0,20. Описано механізм генерування у кристалі структурних дефектів акцепторної та донорної природи. Зокрема, встановлено природу донорів у n-VFeSb ("апріорне легування") як результат наявності вакансій у позиції атомів Sb (4b). Одержаний результат лежить в основі технології одержання нових термоелектричних матеріалів на основі n-VFeSb з максимальною ефективністю перетворення теплової енергії в електричну.Досліджено кристалічну та електронну структури напівпровідникового твердого розчину ZrNiSn1-xBix у концентраційному діапазоні x = 0 - 0,10. Проаналізовано можливі механізми провідності напівпровідника та спрогнозовано умови одержання максимальних значень коефіцієнта термоелектричної потужності Z*.Досліджено вплив акцепторної домішки Rh на кристалічну й електронну структури інтерметалічного напівпровідника n-HfNiSn у діапазонах концентрації домішки <$E N sub A sup Rh~symbol Ы~9,5~cdot~10 sup 19> см<^>-3 (x = 0,005) - <$E 1,9~cdot~10 sup 21> см<^>-3 (x = 0,10). Визначено механізми дефектоутворення нелегованого напівпровідника n-HfNiSn і сильно легованого атомами Rh. Вивчено вплив домішки на зміну енергетичних станів HfNi1-xRhxSn.Досліджено кристалічну й електронну структури та магнітні властивості напівпровідникового твердого розчину HfNi1-xCoxSn у концентраційному діапазоні x = 0 - 0,40. Проаналізовано можливі механізми електропровідності HfNi1-xCoxSn за різних концентрацій і температур.
Попередній перегляд:   Завантажити - 671.996 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Дибкалюк С. В. 
Особливості впливу дегенеративних змін шийного відділу хребта в сегменті V1 хребетної артерії на характер екстравазальної компресії [Електронний ресурс] / С. В. Дибкалюк, В. А. Черняк, Г. І. Герцен, А. І. Процик, В. Г. Несукай, В. Ю. Зоргач, К. К. Карпенко, Г. Г. Білоножкін // Infusion & chemotherapy. - 2022. - № 4. - С. 46-51. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/infch_2022_4_9
Попередній перегляд:   Завантажити - 159.341 Kb    Зміст випуску     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського