Kashirina N. I. Theoretical approach to electrodiffusion of shallow donors in semiconductors: I. Stationary limit = Теоретичний підхід до електродифузії мілких донорів в напівпровідниках: I. Стаціонарний випадок / N. I. Kashirina, V. V. Kislyuk, M. K. Sheinkman // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 41-44. - Библиогр.: 12 назв. - англ.Дається аналіз можливості розподілу рухомих точкових дефектів в напівпровіднику після дії на нього електричного поля до встановлення стаціонарних умов. Розглядаються два способи прикладання напруги: а) безпосередньо до зразка, б) до обкладинок конденсатора, між якими поміщається зразок. Модель також можна застосовувати для електричних полів будь-якої природи - як зовнішніх так і внутрішніх, що виникають, наприклад, на контакті метал-напівпровідник. Ключ. слова: Electrodiffusion, CdS, mobile donors Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|