The regularities of dislocation motion in silicon crystals containing electrically active thermodonors have been studied using selective chemical etching. The introduction of charged thermodonors (TD) into these crystals leads to increasing the delay time and start stresses of dislocation motion as well as a decrease of their velocity. The magnitude of the electroplasticity effect is strongly dependent on the TD nature. The obtained results are discussed in terms of the formation of the specific impurity atmospheres around TD, which causes a change of the Coulomb constituent of the discolation-impurity interaction.

• Стебленко Людмила Петрівна (фізико-математичні науки)
• Коломієць Алла Миколаївна (педагогічні науки)
• Кравченко Володимир Михайлович (технічні науки)
• Кравченко Віктор Миколайович (сільськогосподарські науки)
• Кравченко Віталій Миколайович (філософські науки)
• Кравченко Володимир Миколайович (економічні науки)
• Кравченко Владислав Миколайович (фізико-математичні науки)
• Кравченко Володимир Миколайович (економічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"