Теоретично досліджено закономірності ефекту екстракції фотоносіїв у варизонних напівпровідникових шарах із постійним градієнтом ширини забороненої зони й омічними контактами за умов однорідного та локального фотозбудження. Детально проаналізовано просторові розподіли концентрації фотоносіїв, а також польові залежності ефективного часу життя нерівноважних носіїв заряду та фотоструму. Показано, коли напрям зовнішнього поля є протилежним до внутрішнього квазіелектричного, на польових залежностях фотоструму може реалізуватись ділянка від'ємної диференціальної фотопровідності, а максимальний фотострум може суттєво перевищувати фотострум насичення однорідних зразків.

• Соколовський Богдан Степанович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"