Розглянуто проблему числового дослідження напівпровідникових лазерів поверхневого випромінювання (VCSEL) на основі структури InGaAs/GaAs з оксидним вікном і аналіз динамічної моделі з урахуванням ефектів просторового випалювання дірок. Запропоновано модель на основі методу хвильового розповсюдження, яка дозволила отримати розв'язок для оптичного поля в резонаторі та ближчій зоні, вирахувати оптичну потужність і динамічний відгук лазера на імпульсну модуляцію. За допомогою розробленої моделі досліджено вплив інжекційного току, апертури оксидного вікна і температури на полі поперечної моди VCSEL.

Рассмотрена проблема численного исследования полупроводниковых лазеров поверхностного излучения (VCSEL) на основе структуры InGaAs/GaAs с оксидным окном и анализ динамической модели с учетом эффектов пространственного выжигания дыр. Предложена модель на основе метода волнового распространения, которая позволила получить решение для оптического поля в резонаторе и ближней зоне, вычислить оптическую мощность и динамический отклик лазера на импульсную модуляцию. С помощью разработанной модели исследовано влияние инжекционного тока, апертуры оксидного окна и температуры на поле поперечной моды VCSEL.

The given work is devoted to a problem of numerical simulation and analysis of the InGaAs/GaAs vertical cavity surface emitting lasers (VCSEL's) to improve its high-speed models. In this work the analysis of the VCSEL using the mathematical model, based on the beam propagation method are considered. This model gives an exact solution for the optical fields in the resonator, enables one to calculate the output power of main and second order mode suppression, taking into account the spatial hole burning effects. Using such model the influences of injected current, aperture of the oxide window, temperature effects on the transverse mode in VCSEL's it's dynamic response was described.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"