Детально розглянуто потужнісні характеристики лазерів на асиметричних багатошарових квантоворозмірних гетероструктурах. Управління спектром лазерного випромінювання проаналізовано для зовнішнього резонатора з дифракційною граткою та перелаштувальним дзеркалом. Для підвищення та стабілізації потужності лазера у всьому діапазоні перебудови проведено оптимізацію дисперсійних характеристик резонатора. Для системи GaAs - AlGaAs ширина полоси підсилення сягає 50 нм в області довжин хвиль 820 нм і крива перебудови практично плоска у разі вихідної потужності порядку 4 мВт. За даних умов генерація здійснюється в одномодовому режимі без перескочення мод.

Детально рассмотрены мощностные характеристики лазеров на асимметричных многослойных квантоворазмерных гетероструктурах. Управление спектром лазерного излучения анализируется для внешнего резонатора с дифракционной решеткой и перестраивающим зеркалом.Для повышения и стабилизации мощности лазера во всем диапазоне перестройки проведена оптимизация дисперсионных характеристик резонатора. Для системы GaAs - AlGaAs ширина полосы усиления достигает 50 нм в области длины волн 820 нм и кривая перестройки практически плоская при выходной мощности порядка 4 мВт. При этом генерация осуществляется в одномодовом режиме без перескока мод.

Output power characteristics of asymmetric multiple quantum-well heterostructure lasers are examined in details. Control of emission laser spectra is analyzed for an external cavity with diffraction grating and tuning mirror. Dispersion characteristics of the cavity are optimized to enhance the laser power and to receive stable output in the whole of tuning range. In the GaAs - AlGaAs system, the width of the gain band reaches 50 nm near the wavelength of 820 nm and the tuning curve is practically flat at the output power about 4 mW. Therewith, the lasing occurs in a single-mode regime without mode hops.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"