Рассмотрен оптический метод измерения параметров магнитного поля (напряженность, частота, направление), основанный на взаимодействии электронно-дырочной плазмы полупроводника с лазерным излучением в условиях магнитоконцентрационного эффекта. Метод характеризуется высокими метрологическими параметрами, что во многом определяется низкой его чувствительностью к электрическим и оптическим помехам. Показано, что он может использоваться для измерений в зонах экстремальных воздействий (радиация, агрессивные среды), когда магниточувствительный элемент должен находиться на значительном удалении от оператора. Приведены данные экспериментальных исследований магниточувствительных устройств, реализующих метод.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"