Наведено результати досліджень індуктивних та ємнісних властивостей транзисторів і транзисторних схем у широкому діапазоні частот. Досліджено залежності параметрів реактивних елементів від режиму експлуатації. Розглянуто схемотехнічні методи реалізації функцій індуктивності та ємності на основі гіраторних схем. Зроблено розрахунки основних параметрів пристроїв мікроелектроніки на підставі реактивних властивостей напівпровідникових приладів.

• Осадчук Владимир Степанович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"