Наведено просте та наочне пояснення одержаному Шепом і Бауером універсальному розподілу прозоростей ізолювального шару з великою густиною випадкових розсіювальних центрів. Розраховано форму диференціальної провідності контакту нормального інжектора з надпровідником, розділених неоднорідним діелектричним прошарком. Обговорено наявні експериментальні дані щодо квантового транспорту крізь діелектричні шари з високою прозорістю.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"