Проведено дослідження твердих розчинів Ge_{1 - x}Si_x (0 < x < 0,14), легованих сурмою з концентрацією 10¹⁴ - 10¹⁶ см^-3. Розглянуто особливості переносу електронів у слабких електричних полях, пов'язані із зміною закону дисперсії. Експериментально встановлено умови інверсії зон типу L₁ -> DELTA₁ за умов одноосьового стиску P || < 100 > зразків сплавів і різного рівня сплавлення з Si. Чисельним розрахунком в наближенні часу релаксації встановлено домінуючі механізми розсіювання, це дозволило кількісно описати експериментальні температурні та баричні залежності рухливості електронів та провідності і розрахувати константи електрон-фононної взаємодії в сплавах.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"