Показано, що електронно-стимульовані реакції дефектів в напівпровідниках A₂B₆ обумовлені присутністю дефектів, що є рухомими в рівноважних умовах. При цьому, внаслідок прилипання носіїв на глибоких центрах, може бути імітована електронно-стимульована дифузія дефектів. Для з'ясування реального механізму реакції в кожному окремому випадку потрібні спеціальні дослідження. З цією метою запропоновано новий метод визначення типу рухомих дефектів та прямого визначення їх дифузійних характеристик.

• Маркевич Ірина Василівна (1939–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"