Досліджено зображувальні властивості тонких шарів As₄₀S₂₀Se₄₀. Спектральні залежності індексу заломлення n для свіженапилених, опромінених та відпалених зразків були отримані зі спектрів пропускання в області 400 - 2500 нм. Енергетичні залежності n для свіженапилених, опромінених та відпалених зразків були розглянуті в рамках одноосциляторної моделі і використані для визначення її параметрів. Було знайдено, що опромінення, а також і відпал, приводять до збільшення значень n у всьому дослідженому спектральному інтервалі. Зміни параметрів одноосциляторної моделі при опроміненні або відпалі обговорюються на основі фото- та термостимульованих структурних змін, наявність яких підтверджується вимірюваннями спектрів комбінаційного розсіювання. Фотоіндуковані структурні зміни забезпечують високу селективність шарів As₄₀S₂₀Se₄₀ в безводних розчинах на основі амінів. Світлочутливість шарів на довжині хвилі 488 нм складала ~ 9 см²/Дж. Отримані поверхневі рельєфи (решітки) мали добру якість поверхні. Значення дифракційної ефективності голографічних дифракційних решіток (ГДР), отриманих на основі шарів As₄₀S₂₀Se₄₀ складали 60 - 70 %. Профіль ГДР був близький до синусоїдального. Отримано високоякісні полімерні копії ГДР. Профілі виготовлених копій решіток, які були отримані з допомогою мікроскопа атомних сил, були практично ідентичні профілю вихідної решітки-оригіналу.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"