Проведено подальший розвиток наближення інтерфейсного delta-потенціалу для квантових структур на базі напівмагнітних напівпровідників. Параметри delta-потенціалу, застосовані до опису ефекту парамагнітного підсилення у напівмагнітних квантових структурах, обчислено з використанням наближення неперервного інтерфейсного потенціалу. Запропоновано зручну аналітичну апроксимацію магнітопольової, температурної та структурної залежності інтенсивності delta-потенціалу для CdTe/Cd_{1 - x}Mn_xTe-інтерфейсу. Проведені обчислення підтверджують висловлене раніше припущення про можливість зображення магнітопольової залежності інтенсивності delta-потенціалу модифікованою функцією Бріллюена. Показано, що наближення delta-потенціалу дозволяє кількісно описувати інтерфейсні ефекти у напівмагнітних квантових структурах за допомогою тільки одного вільного параметра - ширини інтерфейсу DELTA L_if. Отримані формули використано для теоретичного опису експериментальних даних, зафіксованих в літературі. Показано, що запропонована теорія забезпечує добре кількісне узгодження з експериментом.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"