Goyer D. B. Investigation of formation and annealing of radiation defects in III-V semiconductors under electron irradiation = Дослідження утворення й відпалу радіаційних дефектів у напівпровідниках A3B5 при опроміненні електронами / D. B. Goyer, I. G. Megela, A. V. Gomonnai, Yu. M. Azhniuk // Наук. вісн. Ужгород. ун-ту. Сер. Фізика. - 2000. - Вип. 8, ч. 2. - С. 38-43. - Библиогр.: 20 назв. - англ.Проаналізовано вплив опромінення високоенергетичними електронами на електричні й оптичні властивості кристалів InAs, InP, GaP. Визначено, що первинні радіаційні дефекти в напівпровідниках групи A3B5 рухливі, а в GaP частково відпалюються навіть за температур, нижчих ніж кімнатна. Розглянуто роль домішок в утворенні складних радіаційних дефектів у кристалах групи A3B5. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + В379.27
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж68850/фіз. Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|