Досліджено стимульоване іонною імплантацією низькотемпературне планарне гетерування в епітаксійних структурах Si/Si та SiGe/Si, отриманих методом молекулярно-пучкової епітаксії (МПЕ) на підкладках Si, вирощеного методами зонної плавки (FZ) та Чохральського (Cz). Планарне гетерування в разі вимірювань на сильнозабруднених домішками пластинах із застосуванням методу локальних вольт-ємнісних характеристик на структурах метал - окис - напівпровідник призводить до зростання величини генераційного часу життя носіїв заряду приблизно на два порядки. Планарне гетерування в пластинах FZ - Si стимулювали іонною імплантацією C⁺ за енергії 50 кеВ і доз понад 3 ^. 10¹⁵ см^-2. Збільшення генераційного часу життя спостерігалось на відстанях 1 - 2 мм від гетерної області. Крім того, з застосуванням методу кінетичних залежностей фотопровідності у разі НВЧ-збудження спостережено об'ємне гетерування в імплантованих областях. У Cz - Si помітного ефекту планарного гетерування не зафіксовано. Це, можливо, пов'язано з впливом домішки кисню, що пасивує гетерні центри, які генеруються імплантацію C⁺.

• Литовченко Володимир Григорович (1931–2021) (фізико-математичні науки)
• Попов Всеволод Геннадійович (фізико-математичні науки)
• Попов Валентин Георгійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"