Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000031025<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Boutry-Forveille A. SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures = SIMS дослідження розподілу дейтерія і температурної стабільності в ZMR SOI структурах / A. Boutry-Forveille, D. Ballutaud, A. N. Nazarov // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 108-111. - Библиогр.: 12 назв. - англ.У роботі вивчались методами вторинної іонної мас-спектрометрії (ВІМС) і термостимульованої десорбції дейтерію розподілення дейтерію і його термічна стабільність у системі кремній-на-ізоляторі (КНІ), виготовленій за допомогою технології зонної лазерної рекристалізації полікремнію. Показано існування прямого зв'язку між розупорядкуванням структури на межах розподілу кремній-внутрішній діелектрик і розподіленням дейтерію у системі КНІ. Визначено коефіцієнт дифузії дейтерію у кремнієвій рекристалізованій плівці при 250 °С. Вперше продемонстровано високотемпературну стабільність дейтерію (до 600 °С включно) у внутрішньому діелектрику системи КНІ, за відсутності дифузії дейтерію до кремнієвих шарів. Ключ. слова: silicon-on-insulator, deuterium, SIMS, thermal effusion Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|