РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000031025<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Boutry-Forveille A.  
SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures = SIMS дослідження розподілу дейтерія і температурної стабільності в ZMR SOI структурах / A. Boutry-Forveille, D. Ballutaud, A. N. Nazarov // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 108-111. - Библиогр.: 12 назв. - англ.

У роботі вивчались методами вторинної іонної мас-спектрометрії (ВІМС) і термостимульованої десорбції дейтерію розподілення дейтерію і його термічна стабільність у системі кремній-на-ізоляторі (КНІ), виготовленій за допомогою технології зонної лазерної рекристалізації полікремнію. Показано існування прямого зв'язку між розупорядкуванням структури на межах розподілу кремній-внутрішній діелектрик і розподіленням дейтерію у системі КНІ. Визначено коефіцієнт дифузії дейтерію у кремнієвій рекристалізованій плівці при 250 °С. Вперше продемонстровано високотемпературну стабільність дейтерію (до 600 °С включно) у внутрішньому діелектрику системи КНІ, за відсутності дифузії дейтерію до кремнієвих шарів.


Ключ. слова: silicon-on-insulator, deuterium, SIMS, thermal effusion
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського